一、ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质（论文文献综述）
李新毓[1]（2021）在《磁控溅射SnO2靶制备铜锌锡硫薄膜太阳电池》文中研究表明铜锌锡硫（Cu2ZnSnS4,CZTS）薄膜作为一种P型直接带隙半导体材料,带隙值为1.45～1.5e V,符合太阳电池的最佳禁带宽度值,其组成元素无毒且在地壳中含量丰富,成本较低以及具有较高的吸收系数(>104cm-1)等优点备受研究者的青睐。目前报道纯CZTS薄膜太阳电池最高的光电转换效率只有11.01%,与CZTS薄膜太阳电池的理论转换效率32.2%仍具有一定的差距。硫化过程中Sn元素的损失在薄膜内部留下的针孔会形成漏电通道,造成开路电压的损失,其次,Mo S2的形成会增加太阳电池的串联电阻,限制了短路电流密度的增加。基于SnO2在低温下较为稳定,本文采用磁控溅射ZnO、SnO2、Cu靶制备CZTO预制层,并将其高温硫化得到CZTS薄膜,以此来减少Sn的损失以及Sn相关的深能级缺陷,提高载流子的收集率;磁控溅射ZnO靶不仅可以提供Zn源,还可以作为阻挡层,抑制Mo S2层的形成。本文的主要研究内容为:（1）采用磁控溅射ZnO、SnO2和Cu靶相结合的方式制备含氧的Cu Zn Sn（CZTO）预制层薄膜,然后对所得含氧预制层薄膜在保持硫化时间一定的情况下,在不同的硫化温度下进行高温硫化过程,探究SnO2的分解温度。（2）在上述研究结果的基础上,研究了不同硫化温度和不同硫化时间对CZTS吸收层薄膜的晶体质量、化学组分、表面和截面形貌特征以及光电性能的影响。（3）采用磁控溅射ZnO、SnO和Cu相结合的方式制备CZTO预制层薄膜,并在不同的硫化工艺下制备CZTS吸收层薄膜,同样研究了不同硫化工艺对CZTS吸收层薄膜特性的影响。（4）对上述两种基于不同价态的Sn元素制备的CZTS吸收层薄膜进行对比,具体进行Sn4+和Sn2+对CZTS吸收层薄膜的晶体质量、表面和截面形貌特征、光电性能等差异性的比较。（5）将上述制备的两种CZTS薄膜用作薄膜太阳电池的吸收层材料,制备出具有Mo/CZTS/Cd S/i-ZnO/ITO/Ni-Al完整结构的CZTS薄膜太阳电池,并比较Sn4+和Sn2+对CZTS薄膜太阳电池性能的影响。本文的研究结果为:（1）在硫化温度为490℃及490℃以下时,可以观察到SnO2相,在硫化温度达到590℃时,SnO2相消失,说明SnO2在低温下稳定性较高,不易分解。（2）将CZTO预制层在570℃、590℃和610℃下分别硫化20 min和25 min,研究结果表明在590℃、25 min的硫化工艺下获得的CZTS薄膜结晶性最好,晶体大小均匀致密,薄膜表面平整,截面形貌中几乎观察不到Mo S2层的存在,说明ZnO很好的抑制了Mo S2的形成,化学组分符合高效太阳电池的化学配比,Sn含量的减少量较少,在一定程度上减少了Sn的损失。（3）将磁控溅射ZnO/SnO/Cu制备的CZTO预制层分别在570℃、590℃和610℃下进行20min和25 min的硫化实验,发现在590℃、20 min的硫化工艺下可获得结晶质量较好、表面均匀致密的CZTS薄膜。（4）将基于Sn4+与Sn2+制备的CZTO预制层分别在最佳的硫化条件下得到的CZTS薄膜进行对比,发现基于Sn4+制备的CZTS薄膜晶体质量更好,载流子浓度明显低于基于Sn2+制备的CZTS薄膜,可能是使用Sn4+减少了与Sn元素相关的二次相以及缺陷态。（5）磁控溅射ZnO/SnO2/Cu制备的CZTS薄膜太阳电池的光电转换效率为5.99%,而磁控溅射ZnO/SnO/Cu制备的CZTS薄膜太阳电池的光电转换效率仅达到了5.59%,基于Sn4+制备的薄膜太阳电池的性能参数在整体上优于基于Sn2+制备的CZTS薄膜太阳电池的性能参数。
毛谋文[2]（2020）在《基于SnO2纳米材料紫外探测器的制备与性能研究》文中指出紫外光的探测在辐射监测,生化分析,天文学和导弹发射等领域中具有重要的作用,人们对高性能紫外探测器的需求不断增长。在各种紫外探测器中,光电倍增管体积较大且需要高功率电源;热探测器探测慢且响应与波长无关。半导体探测器的体积小、重量轻、制造成本低,并且能利用半导体的光电效应实现对紫外光的快速响应和微小信号探测,具有广阔的发展前景。在适合作为探测器光阳极的众多半导体中,SnO2和ZnO均具有宽带隙（分别为3.6eV和3.3eV）和高电子迁移率特点,并且二者结合后能够形成Ⅱ型能带结构,有利于光生电子-空穴的分离。因此本文将主要研究SnO2和ZnO-SnO2异质结构的制备及其在紫外探测器上的应用。首先,在ITO衬底上通过磁控溅射法和液相沉积法制备了SnO2纳米颗粒,并通过扫描电子显微镜、EDS能谱仪和X-射线衍射仪对其进行形貌、化学元素和晶体结构分析。实验结果表明,制备的样品中含有Sn和O元素,其形貌为特殊的八面体纳米颗粒结构,X-射线衍射仪图像的衍射峰能对应于SnO2四方晶型。此外,对SnO2八面体结构的形成机理进行了研究。其次,通过水热法在SnO2八面体纳米颗粒表面生长ZnO纳米阵列,构建了ZnO-SnO2异质结复合材料,并用扫描电子显微镜、EDS能谱仪、透射电子显微镜、X-射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对其进行表征。研究发现,ZnO-SnO2异质结构为SnO2八面体块和ZnO纳米棒组成的刺猬状结构,并且Sn和Zn元素分别分布在两种结构中。然后通过观察ZnO-SnO2刺猬状结构的演变过程,对其形成机理进行了分析。最后,以合成的SnO2八面体纳米颗粒和ZnO-SnO2刺猬状异质结构为紫外光探测材料制备了紫外探测器,并在365nm的模拟紫外光源下测试了器件对紫外光的探测性能。结果表明,两种器件均能对紫外光产生响应并具有可见光盲特性。此外,制备的紫外探测器能够在零偏压下工作,表明其具有自供能特性。多次测试表明,制备的紫外探测器在紫外光照射下其光响应电流均能达到同一稳定峰值,显示出良好的循环稳定性。相比于SnO2紫外探测器,ZnO-SnO2刺猬状异质结紫外探测器具有更高的光响应电流。探测机理研究表明,刺猬状ZnO-SnO2异质结构复杂的表面形态和Ⅱ型能带结构是其性能提升的主要原因。
李腾[3]（2019）在《叶脉状分级银网格透明电极的制备及其在电致变色器件中的应用》文中研究指明电致变色是一种可以通过电信号实现对光学特性控制和调节的非发光技术。这种技术在电子纸状显示器,汽车防眩后视镜,建筑物中的节能智能窗,运动伪装以及可穿戴智能电子器件等诸多的领域内获得了广泛的使用。迄今为止,大多数电致变色器件的制造都无法绕过传统的刚性ITO透明导电玻璃。然而,这些刚性的ITO透明电极难以满足新一代柔性电子设备对耐弯折性能的要求,这迫使人们急需研发新一代柔性透明导电薄膜来替代ITO导电玻璃。在ITO产品的众多替代品中,金属网格结构的透明导电膜因其具有优异的光电特性和良好的耐弯折性能而受到广泛的关注。然而,现有的金属网格导电薄膜的制备方法通常基于传统的光刻技术,不仅价格昂贵,而且操作复杂,这极大的限制了其在未来柔性电子器件中的应用。基于此,本研究将致力于探求一种成本低廉、工艺简单且适用于大规模工业生产的方法来制造具有良好光电性能的柔性透明电极。本文首先借鉴土地龟裂的自然现象,研究了一种利用TiO2胶体龟裂形成的裂纹模板来制备柔性透明电极的工艺。通过控制TiO2胶体溶液的浓度、单位面积胶体溶液涂覆的剂量以及干燥温度等参数来探究影响TiO2胶体龟裂的因素。然后基于胶体裂纹模板制备出具有良好的机械柔性且透光率为91%、方块电阻为4.3Ωsq-1的叶脉状银金属网格柔性透明电极。由上述方法制备的柔性透明导电膜在模板自开裂的过程中不可避免地存在一些缺陷（如开裂不彻底、不连贯、不均匀等）,特别是在大面积的导电薄膜的生产中,这些缺陷会更加的明显。基于此,我们设计了一种具有叶脉状分层次结构的导电金属网格,通过激光刻蚀的方法在裂纹膜的基础上构筑导电主干网络,用以连接并贯通无序分布的裂纹分支,实现电流的远距离无中断传输。本工作中,电极中的叶脉状分层次金属网格结构由中尺度的“主干”和微尺度的“分支”组成。利用胶体开裂形成的微尺度图案制备的微尺度分支栅格用以收集电子,而激光蚀刻形成的主干栅格用来将收集的电子进行远距离的传输。叶脉状分层金属网的大面积柔性透明电极不仅具有较高的可见光透过率（～81%）还具有很低的薄层电阻（1.36Ωsq-1）。通过对栅格宽度、间隙以及Ti02胶体裂纹图案大小的调整可以实现对导电膜光电性能的优化。最后,基于上述新型的叶脉状分层次金属网格透明电极,我们使用简单的磁控溅射技术研制了具有优良变色循环稳定性的柔性电致变色薄膜（经过3000圈的循环伏安测试后依然保有较好的稳定性;在10000次的变色循环后仍然可以保留初始状态76.3%的光学对比度）。本论文所制备的具有优良光电性能和耐弯折性能的叶脉状分层次结构的金属网格透明电极将为下一代柔性可穿戴光电器件提供了一种很有前景的柔性透明电极。
刘秋菊[4]（2019）在《有机无机杂化钙钛矿太阳能电池的制备与性能研究》文中指出基于有机-无机杂化钙钛矿材料的太阳能电池具有转化效率高、制备工艺简单的优势,被认为是新一代光伏太阳能电池中最有希望替代传统的硅太阳能电池实现商业化的候选者之一。尽管钙钛矿太阳能电池在实验室中已经取得了巨大的成功,但是还面临着一些亟待解决的关键问题,制约着其商业化进程。其中高性能、高稳定性缓冲层材料的设计、高质量钙钛矿前驱体溶液的制备工艺、大面积钙钛矿薄膜的可控沉积等问题尤为重要。针对这些问题,本文从材料合成和器件制备的角度做了相应的研究,提出了解决方法,并阐明了其中的科学原理。有机小分子spiro-OMeTAD被广泛用作钙钛矿太阳能电池的空穴传输材料,但其较低的电导率是阻碍器件光电性能提高的最大障碍。为此本文设计了通过用廉价的过氧化苯甲酰（BPO）掺杂以提高缓冲层材料spiro-OMeTAD性能的方法。电化学、电导率、吸收光谱和荧光光谱测试结果表明BPO有效的氧化掺杂了spiro-OMeTAD,并增强其提取空穴的能力。BPO掺杂的spiro-OMeTAD作为空穴传输层所制备的钙钛矿太阳能电池,表现出优异的光电转换效率、稳定性和重现性。高质量、高浓度的钙钛矿前驱体溶液对于制备高效率的钙钦矿太阳能电池至关重要。本文发展了一种用三碘铅酸甲铵（MAPbI3）晶体代替传统的PbI2/MAI混合物以制备高浓度三碘铅酸甲铵前驱体溶液的方法。该方法允许前驱体溶液的浓度从0到1.64 M调节。进一步对MAPbI3晶体溶解过程的研究揭示了其在DMF中的高浓度溶液处于亚稳态,存在向溶剂化中间相的转变的倾向。MAPbI3晶体作为原料能够抑制这种转变并提升高浓度溶液的稳定性。利用这种溶液所制备的钙钛矿太阳能电池实现了 20.7%的光电转换效率。本文设计一种甲胺、乙醇和四氢呋喃（TME）组成的新型低沸点溶剂体系,在将MAPbI3最大浓度提升到2.1 M的同时,还同时实现了一步涂布法制备面积达600 cm2的光滑、致密MAPbI3薄膜。晶体生长过程的显微镜图像表明,溶剂的快速蒸发以及甲胺和MAPbI3之间较强的相互作用,导致高晶核密度和无中间体的结晶路径,从而获得了致密且光滑的钙钛矿薄膜。高质量的MAPbI3膜应用在常规的介孔结构太阳能电池中表现出优异的光伏性能,效率可达20.0%（0.1 cm2）和 15.6%（10 cm2）。可低温制备的ZnO具有较高的电子迁移率和适合的功函数,是一种高性能的电子传输层。但由于其表面显碱性,易从钙钛矿材料中夺取质子,使器件性能逐渐下降。本文开发了一种低温共溅射ZnO-SnO2复合薄膜的方法,通过溅射条件的调节,精确控制ZnO和SnO2的比例,有效避免了诱导钙钛矿层的分解,并实现对表面酸碱性和能级的调控,提高了电子提取效率。这种ZnO-SnO2复合薄膜作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的效率达到19.94%,且在30天内连续测试中几乎没有衰减,表现出良好的稳定性。
邹俊杰[5]（2019）在《基于SnO2电子传输层的低温钙钛矿太阳能电池性能研究》文中研究指明有机-无机杂化钙钛矿薄膜由于具有高的光吸收系数、长的载流子扩散长度、可调节的带隙和相对低的禁带宽度等优点,近年来受到广泛的关注,被应用于各种光电器件的制作,如OLED、光电晶体管、太阳能电池等。在钙钛矿太阳能电池的结构中,电子传输层的存在可以有效促进电子传输,抑制钙钛矿和电子传输层界面电子-空穴对的复合,常见的电子传输层有TiO2、ZnO、SnO2等。传统的电子传输层TiO2电子迁移率低和紫外不稳定性,不是理想电子传输层材料。常用的ZnO具有较高的电子迁移率、透光性好,也被用作电子传输层。但其表面未反应完的羟基易与钙钛矿的甲铵根基团发生反应,导致钙钛矿分解为Pb I2,因此在一定程度上限制了它的应用。SnO2由于和钙钛矿之间合适的能级匹配、在可见光范围内良好的透过率、迁移率高、低温易制备、以及优良的化学稳定性和光稳定性等优点,被视为理想电子传输层的候选者之一。然而低温溶液法制备的SnO2薄膜的电荷传输性能却不如ZnO薄膜。在本文针对SnO2在钙钛矿太阳能电池中的应用,从以下两个方面展开相关的探究:（1）实验设计ZnO/SnO2复合结构作为钙钛矿太阳能电池的电子传输层,有效的利用了ZnO的导电性和钙钛矿材料在SnO2表面的热稳定性,制备了高效率和热稳定好的钙钛矿电池。通过旋涂的次数来控制ZnO层和SnO2层的厚度,优化了双层厚度的器件效率达到了17.02%。FTO/ZnO/钙钛矿、FTO/ZnO/SnO2/钙钛矿、FTO/SnO2/钙钛矿在100℃加热不同时间的光学图像和XRD说明,SnO2的存在明显的提升了ZnO作为电子传输层器件的热稳定性。（2）为了解决SnO2的电荷传输性能差的问题,P被掺杂在SnO2中来提高电子传输层的电荷传输能力,制备高效的钙钛矿太阳能电池。在Sn Cl4.5H2O的异丙醇溶液里加入2%摩尔比的磷酸三丁酯溶液,70℃水浴,制得P掺杂的SnO2前驱体溶液,然后通过旋涂制得薄膜,通过185℃退火获得P掺杂SnO2薄膜。I-V测试表明P掺杂后的SnO2薄膜具有更好的导电性,P掺杂有效的提升了SnO2对电子传输能力。进一步研究发现P掺杂SnO2电子传输材料后,电池效率从17.12%提升到18.81%。器件的开路电压、短路电流、填充因子等都得到了提升。
曹欣[6]（2019）在《薄膜太阳能电池用关键基础材料制备技术研究》文中研究说明近年来,太阳能的开发和利用成为人类发展的热点问题之一,作为核心器件的薄膜太阳能电池产业发展迅速。薄膜太阳能电池主要由玻璃材料、透明导电膜、窗口层、光吸收层等构成,其中玻璃及透明导电膜作为核心材料占总成本30%以上。本文主要针对薄膜太阳能电池中所使用的玻璃基板及透明导电膜,开展应用基础研究,包括:（1）研究了 A1203及MgO/CaO对Si02-RO-R20系玻璃结构及性能的影响、芒硝的澄清机理及效果、硅砂粒度对熔化质量的影响规律。实验证明:Al203为6 wt.%,MgO/CaO为1,芒硝含量2.5wt.%,硅砂粒度100～150目时,玻璃基板应变点>580℃,工艺难度适中,成果量产了 CIGS薄膜太阳能电池高应变点玻璃基板。（2）研究了 R20-Al203-SiO2系玻璃硅酸盐反应过程,Al2O3含量的增加将导致玻璃力学、化学及工艺性能大幅度上升。B2O3含量会对结构产生直接影响,在4.0 wt.%时性能及澄清效果达到较佳水平。针对性的开发了化学强化工艺,样品表面压应力>840 MPa,成果运用于我国第一条高强R20-Al203-SiO2玻璃生产线。（3）研究了碱土金属比例、Ge02、Zr02对B203-Al203-Si02系玻璃力学、光学等物化性能,黏度、热膨胀系数等工艺性能的影响规律,确定了规模化生产的氧化物体系;探索了硅砂粒度上、下限对熔化质量的影响规律,在采用粒度范围150～200目的国产硅砂1#,各项指标均优于进口硅砂;系统研究了 SnO、SnO2等单一和硫氧系、氯氧系等复合澄清剂对玻璃澄清性能的影响规律,在SrSO4 0.05 wt.%+SnO2 0.15wt.%时,气泡直径0.52 mm,熔占比18.3%时,效果最佳,技术成果正在产业转化。（4）研究了衬底温度、高温热处理过程、功率等对ITO薄膜结构和性能的影响规律,分析了工艺参数对ITO导电膜性能的影响机理,在功率85 W,410℃条件下,制备了电阻率为1.6×10-4 Ω·cm的导电薄膜,工艺与性能实现平衡;研究表明随氧分压的增大,氧空位浓度逐渐降低,氧空位散射中心也随之减少。（5）研究了室温状态下靶基距、工作压强等对AZO薄膜结构和性能的影响规律,探寻了氧负离子对薄膜结构损伤的影响机理。采用刻蚀法对AZO薄膜进行绒面制备,获得了电阻率为3.7×10-4Ω·cm,可见光透过率为89.59%,雾度达24.7%的AZO导电膜,技术成果用于实际生产。（6）研究了直流溅射功率、直流射频耦合功率占比及工作气压等工艺参数对GZO薄膜结构、光学、电学等性能的影响规律,在工作气压0.2Pa,射频占比80%时,制备出电阻率为2.47×10-4Ω·cm,透过率为84.2%高质量的GZO薄膜,技术成果可用于工业化实践。
孙倩[7]（2017）在《用于PCB的柔性透明导电膜制备及应用研究》文中指出印刷电子技术可望带来电子器件和显示技术的革命,用印刷的方法取代目前制作硅基集成电路的PCB加工技术,将实现相关电子产品的大面积、柔性化、低成本以及绿色制造,推动太阳能电池、柔性显示器等的技术发展。为了优化传统的PCB蚀刻工艺过程和刚性基材,满足PCB板柔性、透明、高密度布线和优良电学性能的要求,急需对当前柔性基底透明导电薄膜材料和制备技术进行探索。本论文致力于研究印刷电子产品的柔性化方法,利用低温沉积技术和薄膜生长机理,制备出符合柔性电子器件基本性能要求的PET基纳米氧化锌透明导电膜,并对制备完成的透明导电膜进行性能表征和实际应用研究。薄膜制备方面,在密闭的聚四氟乙烯瓶中用Zn（N03）2和六亚甲基四胺的混合溶液作为生长液,采用柠檬酸根阴离子控制纳米生长过程,在PET上二次生长<001>取向的纳米氧化锌薄膜;性能表征方面,对透明导电膜进行表面形态分析、光学性能分析以及电学性能分析;实际应用方面,经过一个整体电子琴原理图的设计后,采用印刷工艺制备电子琴的印制电路板,将透明导电膜作为印制电路板上的一部分——电子琴键,完成电子元器件的表面贴装,3D打印电子琴盒,制作出一个完整的半柔性电子琴。实验结果表明:（1）通过实验条件的优化,制备出微观形貌表现最佳的纳米氧化锌透明导电膜。该膜制备的最佳反应条件如下:生长液Zn（NO3）2的浓度为0.01～0.06mol/L,六亚甲基四胺的浓度为0.001mol/L,控制纳米生长行为的柠檬酸根阴离子的浓度为1mg～2mg。（2）光学性能参数:氧化锌透明导电膜光学性能合格,可见光范围内的平均透射率为76.60%。（3）电学性能参数:纳米氧化锌透明导电膜样品电阻率最大值2.947Ω·cm,最小值1.73Ω·cm,平均值1.9691Ω·cm,样品电阻率最大百分变化70.35%;方块点阻最大值19.88Ω/□,最小值16.82Ω/□,平均值为18.334Ω/□,样品方阻值最大百分变化70.35%。（4）以PET为基材的纳米氧化锌透明导电膜,能够取代电子琴印刷电路板的刚性基板及表层电路,并能够依靠优良的电学性能取代PCB的电子元器件达到整个电子产品的柔性化,同时结合印刷技术,可以开发具有竞争力的柔性电子产品,其产业化具有非常广阔的前景。
陈翠玉[8]（2016）在《银纳米线柔性透明导电膜的制备及其光电、机械性能研究》文中指出银纳米线（AgNWs）透明导电膜因其优异的光电性能、机械性能,有望代替氧化铟锡（ITO）在光电器件上得到广泛的应用。尽管目前对AgNWs柔性透明导电膜的研究已很多,但是针对柔性透明导电膜的光学雾度、耐弯折等特性及其与透过率和导电性之间的关系研究仍较少。本文分别采用提拉法和喷涂法制备了AgNWs/PVC/AgNWs双层透明导电膜和AgNWs-PEDOT:PSS/PET柔性透明导电膜,并系统地研究了制备过程参数,如提拉过程中浸渍速度、提拉速度,以及喷涂过程中AgNWs的直径、长度、浓度、PEDOT:PSS溶液和压力对AgNWs/PVC/AgNWs透明导电膜和AgNWs-PEDOT:PSS/PET透明导电膜的微观形貌及性能的影响。研究发现:在提拉法制备AgNWs/PVC/AgNWs双层透明导电膜的过程中,浸渍速度、提拉速度对AgNWs/PVC/AgNWs透明导电膜的微观结构及光电性能有着重要的影响。在浸渍速度为50 mm/min,提拉速度为100 mm/min的条件下,AgNWs/PVC/AgNWs透明导电膜的方块电阻为60Ω/sq,透光率为84.55%。通过机械压制处理,透明导电膜的耐弯折性得到了改善。经过10 Mpa压力处理,弯折10000次后,AgNWs/PVC/AgNWs透明导电膜方块电阻的增长率为17%。在喷涂法制备AgNWs-PEDOT:PSS/PET透明导电膜的过程中,AgNWs的直径、长度、浓度、PEDOT:PSS溶液与AgNWs的体积比、压力对AgNWs/PET透明导电膜具有重要的影响。当AgNWs平均直径为40 nm,平均长度为30 um,浓度为0.8 mg/mL时,AgNWs/PET透明导电膜的性能最佳,方块电阻为84.6Ω/sq,透光率为88.69%,雾度为4%,粗糙度为25.5 nm。当PEDOT:PSS溶液与AgNWs的体积比为0.2时,AgNWs-PEDOT:PSS/PET透明导电膜的方块电阻为80.3Ω/sq,透光率为87.4%,雾度为5.5%,粗糙度为14.3 nm,经过4 Mpa的机械压制后,AgNWs-PEDOT:PSS/PET透明导电膜的方块电阻降低了50%,雾度降为4.3%,粗糙度降为11.0 nm。导电膜在曲率半径为5 mm下弯折20000次后,方块电阻仅增长了20%。在高低温冲击测试中发现,AgNWs-PEDOT:PSS/PET透明导电膜经过高低温交替循环5次后,方块电阻的增长率为10%。
鲁云华,康文娟,胡知之,王永飞,房庆旭[9]（2010）在《柔性透明导电膜衬底材料的研究进展》文中研究说明综述了柔性透明导电膜材料的应用以及可用作柔性透明导电膜衬底材料的种类、存在的问题和可行的解决方法。介绍了柔性透明导电膜材料的优点、应用和国内外研究现状。重点介绍了可用作柔性透明导电膜衬底的聚合物材料—聚酰亚胺和聚酯,分析了各自的特点。通过分析柔性衬底存在的不足,寻求可行的解决方法,使柔性衬底可以更好地满足导电膜对衬底材料的要求,为柔性衬底材料的设计提供依据。
韩林兵[10]（2010）在《ZnO@SnO2包覆结构透明导电薄膜的制备及其发光性能研究》文中进行了进一步梳理氧化物透明导电薄膜被广泛应用于太阳能电池、液晶显示屏、等离子显示屏、抗静电涂层以及半导体／绝缘体／半导体（SIS）异质结、现代战机和巡航导弹的窗口等领域。研究表明,ZnO透明导电薄膜存在表面和晶粒间界氧吸附导致电学性能下降,SnO2透明导电薄膜存在难以刻蚀等问题,这极大的限制了ZnO、SnO2透明导电薄膜的应用范围。ZnO@SnO2薄膜兼备ZnO和SnO2的优点,这将有利于ZnO、SnO2透明导电薄膜的应用领域。本论文采用以溶胶-凝胶法为基础的二步成胶工艺制备ZnO@SnO2包覆结构的粉体和透明导电薄膜。采用X射线衍射（XRD）、透射电子显微分析（TEM）、X射线光电子能谱（XPS）对粉体样品进行了结构分析和包覆性能表征,结果表明,ZnO@SnO2是以ZnO为核、SnO2为壳的核壳式包覆结构,是一种化学包覆结构,ZnO和SnO2之间以化学键Zn-O-Sn结合；并且当Zn／Sn摩尔比为8／12包覆效果较好。利用NKD-8000e和四探针测试仪对ZnO@SnO2包覆结构的光学和电学性能进行表征,结果表明,可见光透过率均超过80%,当Sb掺杂浓度4at%,退火温度为600℃,Zn／Sn摩尔比为9／12时,电阻率最低可达1.1×10-3Ω.cm讨论了Zn／Sn摩尔比、退火温度、掺杂浓度、薄膜厚度等对可见光透过率和电阻率的影响。研究了ZnO@SnO2包覆结构的光致发光特性,发现SnO2的包覆会使ZnO中的蓝光发射得到增强,原因是SnO2包覆结构增加了Zn空位缺陷密度,使Zn到Zn空位之间跃迁增强。
二、ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质（论文提纲范文）
（1）磁控溅射SnO2靶制备铜锌锡硫薄膜太阳电池（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 太阳电池工作原理 |
| 1.3 铜锌锡硫薄膜太阳电池的介绍 |
| 1.3.1 铜锌锡硫薄膜的材料特性 |
| 1.3.2 铜锌锡硫薄膜太阳电池的结构 |
| 1.3.3 铜锌锡硫基薄膜材料的缺陷分析 |
| 1.3.4 铜锌锡硫薄膜太阳电池的研究进展 |
| 1.4 铜锌锡硫基薄膜太阳电池的制备方法 |
| 1.4.1 磁控溅射法 |
| 1.4.2 脉冲激光沉积法 |
| 1.4.3 真空蒸发法 |
| 1.4.4 喷雾热解法 |
| 1.4.5 溶胶-凝胶法 |
| 1.4.6 电化学沉积法 |
| 1.5 本文的研究意义及研究内容 |
| 1.5.1 研究意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 1.6 本章小结 |
| 第2章 铜锌锡硫薄膜材料的制备及表征方法 |
| 2.1 铜锌锡硫薄膜材料的制备工艺 |
| 2.1.1 衬底的准备 |
| 2.1.2 Mo电极的制备 |
| 2.1.3 铜锌锡硫薄膜太阳电池预制层薄膜的设计与制备 |
| 2.1.4 铜锌锡硫薄膜太阳电池吸收层薄膜的制备 |
| 2.2 铜锌锡硫薄膜的测试表征手段 |
| 2.2.1 铜锌锡硫薄膜的晶体结构及物相分析 |
| 2.2.2 铜锌锡硫薄膜的表面、截面形貌以及化学组分分析 |
| 2.2.3 铜锌锡硫薄膜的光学性能表征 |
| 2.2.4 铜锌锡硫薄膜的电学性能表征 |
| 2.3 本章小结 |
| 第3章 铜锌锡硫薄膜材料的制备与性能表征 |
| 3.1 采用磁控溅射SnO_2靶制备CZTS薄膜 |
| 3.1.1 CZTS吸收层薄膜的制备 |
| 3.1.2 实验方案 |
| 3.1.3 不同硫化工艺制备CZTS吸收层薄膜的晶体质量表征 |
| 3.1.4 不同硫化工艺制备的CZTS吸收层薄膜的化学组分分析 |
| 3.1.5 不同硫化工艺得到的CZTS吸收层薄膜的表面及截面形貌分析 |
| 3.1.6 不同硫化工艺得到的CZTS吸收层薄膜的光学性质测试表征 |
| 3.1.7 不同硫化工艺得到的CZTS吸收层薄膜的电学性质测试表征 |
| 3.2 二价锡元素氧化物靶制备CZTS薄膜 |
| 3.2.1 实验方案 |
| 3.2.2 不同硫化工艺得到的CZTS吸收层薄膜的晶体质量表征 |
| 3.2.3 不同硫化工艺得到的CZTS吸收层薄膜的化学组分分析 |
| 3.2.4 不同硫化工艺得到的CZTS吸收层薄膜的表面形貌分析 |
| 3.2.5 不同硫化工艺得到的CZTS吸收层薄膜的光学性质测试表征 |
| 3.2.6 不同硫化时间得到的CZTS吸收层薄膜的电学性质测试表征 |
| 3.3 两种不同价态Sn元素制备的CZTS吸收层薄膜的对比 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 CZTS薄膜太阳电池的制备 |
| 4.1 CZTS薄膜太阳电池的制备 |
| 4.1.1 采用化学水浴沉积法制备硫化镉缓冲层 |
| 4.1.2 磁控溅射制备本征氧化锌和铟锡氧化物窗口层 |
| 4.1.3 蒸镀法制备表面电极 |
| 4.2 CZTS薄膜太阳电池的表征与分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 结论与展望 |
| 5.1 本文的主要结论 |
| 5.2 本文的创新点 |
| 5.3 未来工作及展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和研究成果 |
| 致谢 |
（2）基于SnO2纳米材料紫外探测器的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 紫外探测器的分类 |
| 1.2.1 光电倍增管 |
| 1.2.2 电荷耦合器 |
| 1.2.3 半导体紫外光电探测器 |
| 1.3 紫外探测器的性能参数 |
| 1.3.1 光谱响应 |
| 1.3.2 光敏性 |
| 1.3.3 响应时间 |
| 1.3.4 光谱选择性 |
| 1.3.5 线性输出特性 |
| 1.3.6 光响应电流的稳定性 |
| 1.4 自供能紫外探测器的结构 |
| 1.4.1 引言 |
| 1.4.2 对电极 |
| 1.4.3 电解质 |
| 1.4.4 光阳极 |
| 1.5 用作光阳极的材料 |
| 1.5.1 常用的宽禁带半导体材料 |
| 1.5.2 SnO_2的特性 |
| 1.5.3 常用的SnO_2制备方法及形貌调控 |
| 1.6 ZnO-SnO_2 紫外探测器的研究进展 |
| 1.7 实验设计思路及内容 |
| 1.7.1 实验设计思路 |
| 1.7.2 主要内容 |
| 第2章 实验药品、仪器和表征方法 |
| 2.1 实验所用药品 |
| 2.2 实验所用仪器 |
| 2.3 样品和器件的测试和表征方法 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜 |
| 2.3.2 EDS能谱仪 |
| 2.3.3 X-射线衍射仪 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱仪 |
| 2.3.5 透射电子显微镜 |
| 2.3.6 太阳能电池测试系统 |
| 2.3.7 电化学分析仪 |
| 第3章 SnO_2纳米颗粒的制备及表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 SnO_2纳米颗粒的制备 |
| 3.3 SnO_2样品的表征 |
| 3.3.1 SnO_2 样品的SEM分析 |
| 3.3.2 SnO_2 样品的EDS能谱分析 |
| 3.3.3 SnO_2 样品的XRD分析 |
| 3.4 SnO_2形貌形成机理研究 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 ZnO-SnO_2异质结构的制备及表征 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 ZnO-SnO_2 异质结构的制备 |
| 4.3 ZnO-SnO_2 异质结构的表征 |
| 4.3.1 ZnO-SnO_2 异质结构的SEM分析 |
| 4.3.2 ZnO-SnO_2 刺猬状异质结构的EDS能谱仪分析 |
| 4.3.3 ZnO-SnO_2 刺猬状异质结构的TEM分析 |
| 4.3.4 ZnO-SnO_2 刺猬状异质结构的XRD分析 |
| 4.3.5 ZnO-SnO_2 刺猬状异质结构的XPS分析 |
| 4.3.6 ZnO-SnO_2 异质结构的刺猬状形貌演变研究 |
| 4.4 ZnO-SnO_2 异质结构的形貌形成机理研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 紫外探测器性能测试及机理研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 紫外探测器的制备 |
| 5.2.1 电解质溶液的配置 |
| 5.2.2 对电极的制备 |
| 5.2.3 自供能紫外探测器的组装及测试 |
| 5.3 紫外探测器性能测试 |
| 5.3.1 SnO_2纳米颗粒自供能紫外探测器性能测试 |
| 5.3.2 ZnO-SnO_2 自供能紫外探测器性能测试 |
| 5.4 紫外探测器机理研究 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（3）叶脉状分级银网格透明电极的制备及其在电致变色器件中的应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电致变色器件 |
| 1.2.1 电致变色器件的原理和结构 |
| 1.2.2 多功能电致变色器件的应用 |
| 1.3 柔性透明导电薄膜 |
| 1.3.1 透明导电的氧化物(TCOs) |
| 1.3.2 碳纳米管 |
| 1.3.3 透明导电聚合物 |
| 1.3.4 金属纳米线 |
| 1.3.5 石墨烯 |
| 1.4 本论文的研究目的和研究内容 |
| 第二章 实验材料及表征方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验材料 |
| 2.3 实验设备 |
| 2.4 表征方法与性能分析 |
| 2.4.1 扫描电子显微镜 |
| 2.4.2 X射线能谱分析 |
| 2.4.3 紫外-可见-近红外分光光度计 |
| 2.4.4 四探针测试 |
| 2.4.5 超声波清洗 |
| 2.4.6 电化学工作站 |
| 第三章 基于胶体开裂模板的金属网格电极的研制 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 胶体模板皲裂机理 |
| 3.3 柔性透明导电膜的制备 |
| 3.4 裂纹图案柔性透明导电膜的性能 |
| 3.4.1 胶体裂纹模板 |
| 3.4.2 光电性能 |
| 3.4.3 耐弯折性能 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 叶脉状银栅透明电极 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 叶脉状银栅透明电极的制备 |
| 4.3 叶脉状透明电极的性能 |
| 4.3.1 表面形貌 |
| 4.3.2 光电性能 |
| 4.3.3 耐弯折性能 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 电致变色器件 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 三氧化钨的电致变色原理 |
| 5.3 电致变色器件的制备 |
| 5.4 电致变色性能 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 |
| 致谢 |
（4）有机无机杂化钙钛矿太阳能电池的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 太阳能电池 |
| 1.2 钙钛矿太阳能电池概述 |
| 1.2.1 钙钛矿材料简介 |
| 1.2.2 钙钛矿太阳能电池的工作原理和基本结构 |
| 1.3 钙钛矿太阳能电池的材料选择调控与制备工艺 |
| 1.3.1 钙钛矿层的制备与调控 |
| 1.3.2 电子传输性层的材料选择与调控 |
| 1.3.3 空穴传输性层的材料选择与调控 |
| 1.4 本论文的选题依据和主要研究内容 |
| 1.4.1 钙钛矿太阳能电池发展方向及存在的问题 |
| 1.4.2 主要研究内容 |
| 第二章 过氧化苯甲酰掺杂的Spiro-OMeTAD作为钙钛矿太阳能电池的空穴传输材料 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 主要试剂和原料 |
| 2.2.2 主要实验仪器设备 |
| 2.2.3 B-Spiro-OMeTAD溶液的制备 |
| 2.2.4 钙钛矿太阳能电池的制备 |
| 2.2.5 材料表征与分析测试 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 紫外可见吸收光谱(UV-vis)分析 |
| 2.3.2 电导率性能 |
| 2.3.3 稳态和瞬态荧光光谱分析 |
| 2.3.4 器件制备及光学性能测试 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 高浓度MAPbI_3钙钛矿前驱体溶液的制备及其亚稳态性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 主要试剂和原料 |
| 3.2.2 主要实验仪器设备 |
| 3.2.3 MAPbI_3单晶的制备 |
| 3.2.4 MAPbI_3前驱体溶液的制备 |
| 3.2.5 B-Spiro-OMeTAD溶液的制备 |
| 3.2.6 MAPbI_3薄膜缺陷态密度器件的制备 |
| 3.2.7 钙钛矿太阳能电池的制备 |
| 3.2.8 材料表征与分析测试 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 MAPbI_3前驱体溶液制备与性能分析 |
| 3.3.2 MAPbI_3晶体溶解机理的探究 |
| 3.3.3 MAPbI_3薄膜的制备及性能表征 |
| 3.3.4 钙钛矿器件制备及性能测试 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 甲胺/乙醇/四氢呋喃混合溶剂体系用于室温下制备高质量的MAPbI_3薄膜 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 主要试剂和原料 |
| 4.2.2 主要实验仪器设备 |
| 4.2.3 TME中MAPbI_3前驱体溶液的制备 |
| 4.2.4 刮涂法用于大尺寸MAPbI_3薄膜的制备 |
| 4.2.5 B-Spiro-OMeTAD溶液的制备 |
| 4.2.6 钙钛矿太阳能电池的制备 |
| 4.2.7 材料表征与分析测试 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 MAPbI_3前驱体混合溶剂选择与薄膜的制备 |
| 4.3.2 大面积MAPbI_3薄膜的制备及性能表征 |
| 4.3.3 钙钛矿器件制备及性能测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 ZnO-SnO_2复合薄膜用于平面钙钛矿电池的电子传输层 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 主要试剂和原料 |
| 5.2.2 主要实验仪器设备 |
| 5.2.3 TME中MAPbI_3前驱体溶液的制备 |
| 5.2.4 ZSO复合薄膜的制备 |
| 5.2.5 B-Spiro-OMeTAD溶液的制备 |
| 5.2.6 钙钛矿太阳能电池的制备 |
| 5.2.7 材料表征与分析测试 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 ZSO复合电子传输层形貌与组成 |
| 5.3.2 ZSO复合薄膜载流子传输特性和导带的测定 |
| 5.3.3 钙钛矿器件制备及性能测试 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 附录: 攻读博士期间完成的论文目录 |
| 致谢 |
（5）基于SnO2电子传输层的低温钙钛矿太阳能电池性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 太阳能电池发展史 |
| 1.3 钙钛矿太阳能电池简介 |
| 1.3.1 钙钛矿太阳能电池的发展近况 |
| 1.3.2 钙钛矿太阳能电池的组成部分 |
| 1.3.3 钙钛矿太阳能电池的基本结构 |
| 1.3.4 钙钛矿太阳能电池的工作原理 |
| 1.3.5 钙钛矿太阳能电池的制备方法 |
| 1.4 本论文的研究内容和研究意义 |
| 1.4.1 本论文研究内容 |
| 1.4.2 本论文研究意义 |
| 第2章 基于SnO_2修饰ZnO的器件性能及热稳定性的研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验仪器及试剂 |
| 2.2.2 SnO_2纳米颗粒的制备 |
| 2.2.3 ZnO胶体的制备 |
| 2.2.4 器件的组装 |
| 2.2.5 测试及表征 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 SnO_2胶体的表征 |
| 2.3.2 器件的基本结构 |
| 2.3.3 ZnO/SnO_2 复合电子传输层层数对太阳能电池性能的影响 |
| 2.3.4 器件热稳定性的探究 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 P掺杂氧化锡胶体的制备及其低温钙钛矿电池的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验仪器及试剂 |
| 3.2.2 P掺杂SnO_2的制备 |
| 3.2.3 电池的组装 |
| 3.2.4 测试表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 SnO_2薄膜的表征 |
| 3.3.2 钙钛矿结构和性能的表征 |
| 3.3.3 P掺杂浓度对SnO_2薄膜及钙钛矿电池性能的影响 |
| 3.3.4 低温平面钙钛矿电池的器件测试 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 结论与展望 |
| 4.1 结论 |
| 4.2 展望 |
| 参考文献 |
| 附录 :研究生期间的成果 |
| 致谢 |
（6）薄膜太阳能电池用关键基础材料制备技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 薄膜太阳能电池及其关键材料发展现状 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 薄膜太阳能电池发展历程及现状 |
| 1.2.1 非晶硅薄膜太阳能电池研究现状 |
| 1.2.2 CdTe薄膜太阳能电池研究现状 |
| 1.2.3 CIGS薄膜太阳能电池研究现状 |
| 1.3 薄膜太阳能电池用基板材料制备技术研究 |
| 1.3.1 薄膜太阳能电池玻璃的特性 |
| 1.3.2 薄膜太阳能电池玻璃基板的发展趋势 |
| 1.3.3 SiO_2-RO-R_2O系薄膜太阳能电池玻璃基板发展现状 |
| 1.3.4 R_2O-Al_2O_3-SiO_2系薄膜太阳能电池玻璃发展现状 |
| 1.3.5 B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2系薄膜太阳能电池玻璃发展现状 |
| 1.4 薄膜太阳能电池用透明导电薄膜制备技术研究 |
| 1.4.1 氧化铟锡导电薄膜制备技术研究 |
| 1.4.2 氧化锌铝导电薄膜制备技术研究 |
| 1.4.3 氧化锌镓导电薄膜制备技术研究 |
| 1.5 本课题提出的意义 |
| 第二章 实验及实验方法 |
| 2.1 实验流程简介 |
| 2.1.1 玻璃基板实验室制备流程 |
| 2.1.2 玻璃基板工程化实验流程 |
| 2.1.3 透明导电膜实验制备流程 |
| 2.2 实验原料 |
| 2.2.1 实验原料来源 |
| 2.2.2 氧化物在玻璃基板中的作用 |
| 2.2.3 氧化物在导电薄膜中的作用 |
| 2.3 实验测试参数定义、测试方法及遵循标准 |
| 2.3.1 热学性能 |
| 2.3.2 力学性能 |
| 2.3.3 光学性能 |
| 2.3.4 电学性能 |
| 2.3.5 结构性能 |
| 2.3.6 化学稳定性测试 |
| 2.3.7 玻璃及薄膜组成测试 |
| 第三章 薄膜太阳能电池用玻璃基板制备及性能研究 |
| 3.1 SiO_2-RO-R_2O系高应变点玻璃基板熔制技术研究 |
| 3.1.1 SiO_2-RO-R_2O高应变点玻璃基板定义 |
| 3.1.2 实验思路 |
| 3.1.3 氧化物对SiO_2-RO-R_2O高应变点玻璃结构及性能影响 |
| 3.1.4 SiO_2-RO-R_2O系玻璃澄清过程及行为研究 |
| 3.1.5 主要工业原料对玻璃液熔化效果影响研究 |
| 3.1.6 小结 |
| 3.2 R_2O-Al_2O_3-SiO_2系玻璃制备技术研究 |
| 3.2.1 Al_2O_3对R_2O-Al_2O_3-SiO_2玻璃结构和性能的影响 |
| 3.2.2 B_2O_3对R_2O-Al_2O_3-SiO_2玻璃结构和性能的影响 |
| 3.2.3 R_2O-Al_2O_3-SiO_2系玻璃基板化学强化性能研究 |
| 3.2.4 小结 |
| 3.3 B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2系玻璃熔制技术研究 |
| 3.3.1 碱土金属对B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2玻璃性能的影响 |
| 3.3.2 GeO_2对B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2玻璃性能的影响 |
| 3.3.3 ZrO_2对B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2玻璃性能的影响研究 |
| 3.3.4 主要工业原料对玻璃熔化及物化性能影响研究 |
| 3.3.5 B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2系玻璃基板澄清行为研究 |
| 3.3.6 小结 |
| 第四章 薄膜太阳能电池用透明导电膜制备及性能研究 |
| 4.1 氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜制备工艺技术研究 |
| 4.1.1 衬底温度对ITO薄膜光电性能的影响 |
| 4.1.2 退火对ITO薄膜光电性能的影响 |
| 4.1.3 溅射功率对ITO薄膜光电性能的影响 |
| 4.1.4 氧分压对ITO薄膜光电性能的影响 |
| 4.1.5 小结 |
| 4.2 氧化锌铝(AZO)导电薄膜制备技术研究 |
| 4.2.1 AZO薄膜制备工艺实验设想 |
| 4.2.2 靶基距对直流射频耦合磁控溅射制备AZO薄膜性能影响 |
| 4.2.3 压强对直流射频耦合磁控溅射制备AZO薄膜性能影响 |
| 4.2.4 AZO导电薄膜损伤因素研究 |
| 4.2.5 绒面AZO导电薄膜制备技术研究 |
| 4.2.6 小结 |
| 4.3 氧化锌镓(GZO)导电薄膜制备技术研究 |
| 4.3.1 实验思路 |
| 4.3.2 直流磁控溅射功率对GZO薄膜结构和性能影响 |
| 4.3.3 直流射频耦合磁控溅射功率占比对GZO薄膜结构和性能影响 |
| 4.3.4 直流射频耦合磁控溅射压强对GZO薄膜结构和性能影响 |
| 4.3.5 小结 |
| 第五章 薄膜太阳能电池关键基础材料工业化实践与开发 |
| 5.1 SiO_2-RO-R_2O系玻璃基板工业化实践 |
| 5.1.1 SiO_2-RO-R_2O系玻璃规模化生产技术开发 |
| 5.1.2 成果技术水平及意义 |
| 5.2 R_2O-Al_2O_3-SiO_2系玻璃基板的工业化实践 |
| 5.2.1 R_2O-Al_2O_3-SiO_2系玻璃规模化生产技术开发 |
| 5.2.2 成果技术水平及意义 |
| 5.3 B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2系玻璃的工业化设计 |
| 5.3.1 B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2系玻璃的工业化熔窑设计简述 |
| 5.3.2 B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2系玻璃生产线建设情况 |
| 5.4 ITO导电膜玻璃的工业化放大与实践 |
| 5.4.1 ITO导电膜市场现状 |
| 5.4.2 技术成果的工业化实践 |
| 5.4.3 ITO导电膜运用前景 |
| 5.5 AZO导电薄膜的工业化放大与实践 |
| 5.5.1 项目成果与既有工艺比较 |
| 5.5.2 实际使用情况 |
| 5.6 GZO透明导电膜工业化运用前景 |
| 结论 |
| 本文创新点 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 |
| 致谢 |
（7）用于PCB的柔性透明导电膜制备及应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 前言 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.1.1 PCB概述 |
| 1.1.2 透明导电膜 |
| 1.1.3 柔性印刷电子技术 |
| 1.2 研究意义 |
| 1.3 研究内容 |
| 2 材料制备方法研究 |
| 2.1 低温水浴法 |
| 2.2 柔性透明导电膜制备实验 |
| 2.2.1 实验设备与材料 |
| 2.2.2 柔性衬底表面处理技术 |
| 2.2.3 纳米氧化锌薄膜的水浴法生长 |
| 2.2.4 成膜及热处理 |
| 2.2.5 透明导电膜生长情况观测 |
| 3 印刷电子应用装置的设计制作 |
| 3.1 印刷电路板总体设计 |
| 3.2 原理图的一般设计流程 |
| 3.3 印刷电路板的丝网印刷工艺 |
| 3.4 元器件表面贴装 |
| 3.5 电子琴的琴盒3D打印 |
| 4 结果与讨论 |
| 4.1 柔性透明基材表面张力分析 |
| 4.2 透明导电膜的性能研究 |
| 4.2.1 表面形态分析 |
| 4.2.2 光学性能分析 |
| 4.2.3 电学性能分析 |
| 4.3 印制电路板的功能检测 |
| 5 结论 |
| 6 展望 |
| 7 参考文献 |
| 8 论文发表情况 |
| 9 致谢 |
（8）银纳米线柔性透明导电膜的制备及其光电、机械性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 柔性透明导电膜的分类 |
| 1.2.1 氧化物系透明导电膜 |
| 1.2.2 高分子系透明导电膜 |
| 1.2.3 纳米材料系透明导电薄膜 |
| 1.3 柔性透明导电膜的制备 |
| 1.3.1 旋涂法 |
| 1.3.2 迈耶棒涂布法 |
| 1.3.3 真空抽滤法 |
| 1.3.4 喷涂法 |
| 1.4 本论文的提出及研究的主要内容 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 实验原料及仪器 |
| 2.2 透明导电膜的结构及性能表征 |
| 2.2.1 透明导电膜的形貌表征 |
| 2.2.2 透明导电膜的光、电及机械性能测试 |
| 第三章 AgNWs/PVC/AgNWs透明导电膜的制备及性能 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.3 结果分析与讨论 |
| 3.3.1 SEM形貌表征 |
| 3.3.2 透光率及方块电阻的表征 |
| 3.3.3 性能指数 |
| 3.3.4 粘附性测试 |
| 3.3.5 耐弯折性能 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 AgNWs-PEDOT:PSS/PET柔性透明导电膜的制备及性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验过程 |
| 4.3 AgNWs对导电膜光电性能的影响 |
| 4.3.1 AgNWs的直径和长度对导电膜光电性能的影响 |
| 4.3.2 AgNWs的浓度对导电膜光电性能的影响 |
| 4.4 PEDOT:PSS含量对导电膜性能的影响 |
| 4.5 压力对导电膜性能的影响 |
| 4.6 稳定性测试 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 发表论文、发明专利情况 |
（9）柔性透明导电膜衬底材料的研究进展（论文提纲范文）
| 1 柔性衬底材料 |
| 1.1 聚酰亚胺衬底 |
| 1.2 聚酯衬底 |
| 1.3 其他聚合物衬底 |
| 2 柔性衬底存在的问题及解决方法 |
| 3 结语 |
（10）ZnO@SnO2包覆结构透明导电薄膜的制备及其发光性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 透明导电薄膜的简介 |
| 1.1.1 透明导电薄膜的介绍 |
| 1.1.2 透明导电薄膜的应用 |
| 1.2 ZnO和SnO_2透明导电薄膜的研究现状 |
| 1.2.1 ZnO透明导电薄膜的研究现状 |
| 1.2.2 SnO_2透明导电薄膜研究现状 |
| 1.2.3 ZnO-SnO_2透明导电薄膜的研究现状 |
| 1.3 透明导电薄膜的制备方法 |
| 1.3.1 磁控溅射 |
| 1.3.2 真空蒸发镀膜 |
| 1.3.3 脉冲激光沉积 |
| 1.3.4 化学气相沉积 |
| 1.3.5 溶胶-凝胶法 |
| 1.3.6 喷雾热解 |
| 1.3.7 分子束外延 |
| 1.4 透明导电薄膜的发展趋势 |
| 1.5 包覆改性 |
| 1.5.1 包覆机理 |
| 1.5.2 复合粉体包覆的主要方法 |
| 1.5.3 粉体包覆制备技术的发展方向 |
| 1.5.4 ZnO表面改性 |
| 1.6 课题研究的主要内容 |
| 第二章 溶胶-凝胶工艺及成膜机理 |
| 2.1 概述 |
| 2.1.1 溶胶-凝胶法的基本原理 |
| 2.1.2 溶胶-凝胶法制备薄膜的方法 |
| 2.2 溶胶-凝胶法的工艺过程 |
| 2.3 二步成胶工艺理论 |
| 2.4 溶胶-凝胶法的特点 |
| 第三章 实验 |
| 3.1 实验所用试剂和仪器 |
| 3.2 测试用的仪器 |
| 3.3 ZnO@SnO2的溶胶-凝胶制备工艺过程 |
| 3.4 实验结果表征方法 |
| 3.4.1 X射线衍射 |
| 3.4.2 荧光分析 |
| 3.4.3 透射电子显微镜 |
| 3.4.4 热分析 |
| 3.4.5 X射线光电子能谱 |
| 3.4.6 NKD8000e薄膜分析系统 |
| 3.4.7 四探针测试仪 |
| 第四章 实验结果及讨论 |
| 4.1 ZnO@SnO_2:Sb的XRD分析 |
| 4.2 ZnO@SnO_2包覆结构的表征与讨论 |
| 4.2.1 ZnO@SnO_2的TEM分析 |
| 4.2.2 ZnO@SnO_2的X射线能谱分析 |
| 4.3 性能的表征及测试结果分析 |
| 4.3.1 光学性能的测试和结果和分析 |
| 4.3.2 电学性能的测试结果和分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 ZnO@SnO_2发光性能研究与讨论 |
| 5.1 半导体发光机理 |
| 5.2 光致发光及应用 |
| 5.3 光致发光过程 |
| 5.4 ZnO@SnO_2光致发光特性的研究 |
| 5.4.1 ZnO@SnO_2的光致发光 |
| 5.4.2 退火温度对ZnO@SnO_2发光性能的影响 |
| 5.4.3 Zn/Sn摩尔比对ZnO@SnO_2发光性能的影响 |
| 5.5 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 |
| 致谢 |
四、ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质（论文参考文献）
- [1]磁控溅射SnO2靶制备铜锌锡硫薄膜太阳电池[D]. 李新毓. 云南师范大学, 2021(08)
- [2]基于SnO2纳米材料紫外探测器的制备与性能研究[D]. 毛谋文. 哈尔滨工业大学, 2020(01)
- [3]叶脉状分级银网格透明电极的制备及其在电致变色器件中的应用[D]. 李腾. 厦门大学, 2019(07)
- [4]有机无机杂化钙钛矿太阳能电池的制备与性能研究[D]. 刘秋菊. 厦门大学, 2019(01)
- [5]基于SnO2电子传输层的低温钙钛矿太阳能电池性能研究[D]. 邹俊杰. 湖北大学, 2019(05)
- [6]薄膜太阳能电池用关键基础材料制备技术研究[D]. 曹欣. 大连交通大学, 2019(08)
- [7]用于PCB的柔性透明导电膜制备及应用研究[D]. 孙倩. 天津科技大学, 2017(03)
- [8]银纳米线柔性透明导电膜的制备及其光电、机械性能研究[D]. 陈翠玉. 江苏大学, 2016(11)
- [9]柔性透明导电膜衬底材料的研究进展[J]. 鲁云华,康文娟,胡知之,王永飞,房庆旭. 化工新型材料, 2010(09)
- [10]ZnO@SnO2包覆结构透明导电薄膜的制备及其发光性能研究[D]. 韩林兵. 西北大学, 2010(09)
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