一、LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析（论文文献综述）
门小云[1]（2016）在《LPCVD法制备多晶硅薄膜工艺的研究》文中研究表明随着器件特征尺寸的不断减小以及衬底尺寸的不断加大,对衬底硅片的质量提出了更加严格的要求。多晶硅吸杂作为一种外吸杂技术,具有增强吸杂的作用,可获得硅片表面足够宽的洁净区,能显着改善衬底硅片的表面质量,已经作为ULSI和VLSI衬底硅片吸杂的主要方式。但多晶硅薄膜生长过程产生的应力使得硅片抛光后翘曲度发生很大变化,无意引入的颗粒也会造成表面发雾等不良,严重影响着所加工产品的质量和良率。本课题利用低压化学气相沉积（Low Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD）法以高纯硅烷为反应气体,在N型（100）硅衬底上成功制备出表面质量和几何参数满足要求的多晶硅薄膜。通过对沉积参数与薄膜生长速率和翘曲度关系的讨论并结合对热处理条件的研究,我们得出在沉积温度为630℃,反应压力为0.25 torr,流量为360 sccm时为较为理想的沉积条件。随沉积温度升高、膜厚增加,硅片的翘曲度增量逐渐变小。随退火温度升高,衬底硅片的翘曲度呈减小的趋势,1000℃左右是翘曲度剧烈变化的临界点,高于1000℃退火60 min可以实现对翘曲度的有效控制。另外,通过对腔体颗粒不良的研究,我们发现腔体内部的升温速率为10℃/min,压力变化速率为3 torr/s,进舟、退舟时的温度在600℃左右时可获得腔体内部较好的颗粒状态。在工艺结束后,通过增加腔体Cycle purge操作,腔体内部颗粒情况可以得到改善。改善后所加工薄膜质量和良率较好。
田英[2]（2013）在《高电光转化效率MEMS红外光源的制备及其性能研究》文中研究说明红外光源作为红外应用系统的核心部件，具有作用距离远、抗干扰性好、空间分辨率高、可全天候、全天时工作等特点，在空气质量监测、人员搜索和营救、飞机降落指引、红外通信等方面有重要的应用价值。为了满足红外应用系统小型化和低成本发展趋势的需要，在微尺度下可靠制造性能优、体积小的MEMS红外光源，已成为现阶段世界各国红外技术领域研究的热点。本论文系统地研究了高电光转化效率MEMS红外光源器件材料调控、结构设计、仿真分析和制备方法。该光源是基于绝缘体上硅（SOI）基片，利用低压化学气相淀积工艺技术在基片上生长0.5μm多晶硅辐射层材料，通过单晶硅反射层浓硼扩散以及多晶硅辐射层硼离子注入掺杂改性技术，实现光源辐射层良好的电阻加热和体辐射效应。利用ANSYS软件对MEMS红外光源的辐射层进行热电耦合仿真分析。采用深反应离子刻蚀技术背面刻蚀500μm硅基底材料，实现光源悬浮薄膜结构的加工制造，极大程度改善了因辐射体部热容引起的热积累损伤。通过溅射铝电极实现器件电气互连，完成了高电光转化效率MEMS红外光源的集成制造。本文对加工的MEMS红外光源进行性能测试，I-V特性测试结果显示曲线有较好的线性关系，光源阻值约为50。对不同驱动电压下光源的表面温度进行测量，在驱动电压为5.8V时，光源表面温度约750K。相对辐射光谱测试结果显示该光源的红外光谱波段主要分布在3μm5μm，中心波长在3.6μm处。针对不同距离、不同角度光源进行辐射强度测试，MEMS红外光源在050mm范围内辐射强度衰减较快，50mm之后逐渐趋于平稳；以5.8V电压驱动光源时，辐射范围覆盖-30°30°，在准直方向上辐射强度较大，其电光转化效率可达20%。
胡佳宝[3]（2012）在《半导体火工桥用多晶硅薄膜的制备及性能研究》文中提出火工品是一种小型敏感元件，它能用很小的能量发火，从而引发爆炸或燃烧。火工品历史悠久，种类繁多。近年来，火工品开始采用新技术、新材料和新工艺，出现了MEMS火工品、激光点火起爆火工品以及半导体火工桥等新型火工品，以满足低发火能量、短作用时间、抗辐射以及微型化等要求。其中，采用集成电路工艺技术制备的半导体火工桥安全、可靠，并能满足火工品的各项性能指标要求，是发展最为迅速的一类火工品。半导体火工桥的发火机理是当其通过脉冲电流时，硅桥材料因焦耳热迅速气化并在电场的作用下形成弱等离子体放电，等离子体迅速扩散到装药中使其达到着火温度而发火。所以，在半导体火工桥工艺中最重要的是高质量重掺杂多晶硅薄膜的制备。本论文的研究工作是围绕半导体火工桥用多晶硅薄膜的制备及性能研究开展的,是企业委托预研项目。论文在综述半导体火工桥的基本结构和主要应用的基础上，介绍了在晶向（100）的单晶硅衬底上采用干氧化和湿氧化相结合的方法制备SiO2薄膜的工艺，SiO2薄膜的作用是阻止火工桥工作时热量流失；然后介绍了在SiO2薄膜上采用低压化学气相沉积法制备多晶硅薄膜的工艺，对工艺参数进行了优选，分别在不同沉积温度、不同沉积压强、不同沉积时间和退火温度下制备出多晶硅薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜、半导体特性测试仪等设备对多晶硅薄膜进行结晶质量、表面形貌、膜厚和电流-电压特性测试和分析。分析结果表明温度、压强、膜厚和退火参数会影响多晶硅薄膜的粗糙度以及晶粒大小，膜厚和退火温度对多晶硅薄膜的结晶状态都有影响，掺杂浓度会影响薄膜的方块电阻。论文最后还对研究工作进行了总结和展望。
许帅,徐超,王新胜,刘国柱[4]（2012）在《LPCVD多晶硅薄膜发雾的形成与消除》文中认为LPCVD多晶硅薄膜发雾对CMOS器件性能有重大影响,文章分析了多晶硅薄膜发雾的形成机理与影响因素,指出了低温、低压以及保持气路系统的清洁是消除多晶"发雾"的有效措施。根据多晶硅薄膜雾状斑点的形状与分布位置,对硅片表面缺陷的来源进行了分类,并从清洗工艺、污染物成分分析、前道工序等方面提出了相应的解决措施。
陈海力[5]（2011）在《制备工艺对铝诱导多晶硅薄膜性能影响的研究》文中研究说明多晶硅薄膜结合了晶体硅的高转换效率和非晶硅薄膜的低制造成本的优点,被认为是一种性能较为优异的光伏材料。制备多晶硅薄膜的方法有很多,其中铝诱导晶化法是一种较为新颖的制备方法。本文对铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜的工艺进行了深入的研究,并分析了不同制备工艺条件对铝诱导多晶硅薄膜的影响。利用HWCVD法制备厚度为300nm的初始非晶硅并自然氧化50h,接着通过磁控溅射法沉积厚度为100nm的初始铝膜以形成a-Si/SiO2/Al叠层膜结构,最后在500℃、氩气保护气氛下退火不同时间。实验得到了（111）高度择优取向的多晶硅薄膜,且晶粒随着退火时间的延长而增大,退火5h后得到的多晶硅晶粒大小为100μm。制备得到的多晶硅薄膜其结晶质量及对可见光的吸收能力随着退火时间的延长而增强,同时证实其为p型重掺杂半导体薄膜。初始铝膜的沉积工艺由磁控溅射法变为真空热蒸发法,其它铝诱导晶化工艺条件保持不变。退火后发现,由真空热蒸发法沉积的铝膜同样能诱导出（111）择优取向的多晶硅薄膜。随着退火时间的延长,晶粒逐渐增大,结晶质量逐渐提高,最后获得的多晶硅晶粒尺寸在100μm左右。但与磁控溅射法相比,真空热蒸发法沉积的铝膜诱导出的多晶硅薄膜应力更小,结晶质量更高,且晶化速率更快。将预先制备的a-Si/SiO2/Al叠层膜结构分别在450℃、475℃及500℃这三个温度下进行退火发现,铝诱导晶化出的多晶硅薄膜的晶粒大小、结晶性能及晶化速率对退火温度较为敏感,当退火温度在475℃以下时不能诱导出结晶质量优异的大晶粒多晶硅,将退火温度升高到500℃,铝诱导晶化现象才十分明显。在a-Si/SiO2/Al叠层膜结构中,利用磁控溅射法沉积初始铝膜,通过改变沉积铝膜时的衬底温度发现,铝诱导晶化制备的多晶硅薄膜的晶粒大小随着沉积铝膜的衬底温度的升高而变小,且晶化能力及结晶质量也逐渐变差,当沉积铝膜的衬底温度升高至200℃以上时甚至不发生铝诱导晶化现象。
曹一江,史良钰,王振群,陈建春,刘晓为[6]（2009）在《SIPOS钝化功率晶体管“双线击穿”曲线现象的分析》文中认为测试半绝缘掺氧多晶硅（SIPOS）层钝化的功率晶体管管芯反向击穿电压曲线时,出现异常击穿曲线——"双线击穿"曲线现象。通过对SIPOS钝化的功率晶体管管芯进行逐层腐蚀,再进行反向击穿曲线测试,以及扫描电镜对SIPOS层结构进行能谱分析,结果显示SIPOS层中氧含量过大,从而产生界面效应造成击穿电压回移,并解释了在应用特定测试仪器测试时显示出"双线击穿曲线"的现象,同时提出解决双线击穿曲线现象的方法。
史良钰[7]（2009）在《SIPOS钝化功率晶体管双线击穿现象的研究》文中指出SIPOS钝化的平面功率晶体管采用半绝缘掺氧多晶硅和二氧化硅的多层表面钝化技术。其中半绝缘掺氧多晶硅（Semi-Insulating Polycrystalline-Silicon,SIPOS）作为一种新的钝化技术,制备在器件衬底表面能有效的屏蔽外部电场,改善了厚SiO2直接作钝化层时对Na+等碱金属离子掩蔽能力差、SiO2与硅衬底界面处存在界面效应和雪崩热载流子容易在SiO2层中贮存等缺点。因此使用SIPOS薄膜作功率晶体管的钝化层,稳定器件电学性能,可以使功率器件获得更高的耐压。在实际生产中,某些批次的SIPOS钝化平面功率晶体管在“中测”过程中,发现反向击穿电压曲线为“双线击穿”的异常现象。并且出现这种异常击穿曲线现象的管芯占整个晶圆的90%以上,这种异常击穿的“早期失效”严重影响了该系列功率晶体管的良品率。本文针对SIPOS钝化功率晶体管出现的“双线击穿”曲线现象,分析了SIPOS钝化平面功率晶体管的结构和制备工艺,以及SIPOS层性质与钝化机理;根据SIPOS钝化功率晶体管的纵向结构,对出现“双线击穿”曲线现象的管芯进行逐层腐蚀和反向击穿电压的测试,发现腐蚀掉SIPOS层后的管芯,“双线击穿”曲线现象基本消除;通过对SIPOS层进行元素能谱分析,结果显示出现“双线击穿”曲线现象管芯的SIPOS层氧含量为45%左右,超过标准约10%;最后还分析了QT-2型晶体管特性测试仪本身特性与出现“双线击穿”曲线现象的关系。结果表明,严重超标的氧含量使SIPOS层呈现SiO2性质,在SIPOS与Si衬底界面会出现界面效应,分析认为这是造成器件出现“双线击穿”曲线现象的主要原因;同时当界面陷阱饱和时间常数τs小于界面陷阱的泄空时间常数τr,且都小于QT-2型图示仪的扫描时间常数τc的条件成立时,就会在QT-2型晶体管特性测试仪中观测到稳定的“双线击穿”异常击穿曲线现象。
王立峰,贾世星,陆乐,姜理利[8]（2008）在《LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的工艺》文中研究说明对LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的原理进行了阐述,分析了薄膜质量与各项工艺参数的关系。实验时,对各项工艺参数进行调节,在保证薄膜质量和片内一致性的同时取得最大的生长速率。生长出来的多晶硅结构层厚度达到2μm;掺P多晶硅的厚度达到1000。
谭刚,吴嘉丽,李仁锋[9]（2006）在《低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究》文中认为在研制器件过程中,多晶硅制备的工艺条件对其性能影响较大。讨论了低压化学气相淀积（LPCVD）关键材料多晶硅薄膜的基本原理,考察了工作压力、反应温度等对多晶硅薄膜淀积速率的影响,以及影响多晶硅薄膜质量的因素,提出了改进措施,优化了多晶硅制备工艺参数,制备了合格的多晶硅薄膜。
张顾万,龙飞,阙蔺兰[10]（2002）在《LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析》文中研究指明叙述了采用LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的机理 ,分析了在淀积多晶硅薄膜过程中引起发雾的因素 ,指出了保持LPCVD系统的洁净能有效消除在淀积多晶硅薄膜过程中出现的发雾现象。
二、LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析（论文提纲范文）
（1）LPCVD法制备多晶硅薄膜工艺的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 多晶硅薄膜的制备方法 |
| 1.1.1 APCVD |
| 1.1.2 LPCVD |
| 1.1.3 PECVD |
| 1.2 LPCVD制备多晶硅薄膜的研究现状 |
| 1.2.1 LPCVD制备多晶硅薄膜的工艺和性能方面的研究进展 |
| 1.2.2 LPCVD制备多晶硅薄膜的质量及工艺稳定性方面的研究进展 |
| 1.3 本课题的研究意义与实验方法 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 实验装置 |
| 2.1.1 LPCVD装置 |
| 2.1.2 热处理设备 |
| 2.2 实验条件 |
| 2.2.1 纳米多晶硅薄膜的制备 |
| 2.2.2 热处理的实验条件 |
| 2.3 多晶硅薄膜的表征方法 |
| 2.3.1 粗糙度和表面测试 |
| 2.3.2 翘曲度测试 |
| 2.3.3 膜厚测试 |
| 2.3.4 颗粒测试 |
| 第三章 多晶硅薄膜的生长速率 |
| 3.1 LPCVD制备多晶Si薄膜动力学 |
| 3.1.1 多晶硅薄膜的沉积过程 |
| 3.1.2 多晶硅薄膜沉积动力学 |
| 3.2 LPCVD多晶硅薄膜的生长速率 |
| 3.2.1 多晶硅薄膜生长速率与沉积温度的关系 |
| 3.2.2 多晶硅薄膜生长速率与硅烷流量的关系 |
| 3.2.3 多晶硅薄膜生长速率与反应压力的关系 |
| 3.2.4 多晶硅薄膜生长速率与沉积时间的关系 |
| 3.3 多晶硅薄膜的性质 |
| 3.3.1 不同条件下多晶硅薄膜的表面性质 |
| 3.3.2 多晶硅薄膜的厚度均匀性 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 不同状态多晶硅薄膜与硅片翘曲度的关系 |
| 4.1 薄膜的应力理论 |
| 4.1.1 薄膜的应力理论 |
| 4.1.2 薄膜的生长模式 |
| 4.2 不同工艺条件下的多晶硅薄膜对硅片翘曲度的影响 |
| 4.2.1 多晶硅薄膜的沉积温度对硅片翘曲度的影响。 |
| 4.2.2 多晶硅薄膜的厚度对硅片翘曲度的影响 |
| 4.3 退火工艺对多晶背封硅片翘曲度的影响 |
| 4.3.1 退火温度对多晶背封硅片翘曲度的影响 |
| 4.3.2 退火时间对多晶背封硅片翘曲度的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 多晶硅薄膜的制程设计 |
| 5.1 多晶硅薄膜的制程设计 |
| 5.1.1 多晶硅薄膜沉积前 |
| 5.1.2 多晶硅薄膜沉积后处理 |
| 5.2 制程设计对多晶硅薄膜质量的影响 |
| 5.2.1 颗粒沾污的研究和改善方案 |
| 5.2.2 工艺腔体的温度和颗粒沾污的关系 |
| 5.2.3 工艺腔体压力和颗粒沾污的关系 |
| 5.2.4 颗粒沾污的改善方案 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的相关科研成果 |
| 致谢 |
（2）高电光转化效率MEMS红外光源的制备及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章.绪论 |
| 1.1 课题的研究背景及意义 |
| 1.2 红外辐射相关基础理论 |
| 1.2.1 红外辐射及红外光谱 |
| 1.2.2 黑体辐射机理 |
| 1.3 MEMS 红外光源国内外研究现状 |
| 1.4 论文研究内容 |
| 第二章.MEMS 红外光源基础理论分析 |
| 2.1 红外光源分类 |
| 2.1.1 红外发光二极管 |
| 2.1.2 红外激光器 |
| 2.1.3 热辐射红外光源 |
| 2.2 MEMS 红外光源辐射原理 |
| 2.2.1 工作原理 |
| 2.2.2 辐射强度 |
| 2.2.3 电光转化效率 |
| 2.3 MEMS 红外光源应用 |
| 2.3.1 光电特征标识装置 |
| 2.3.2 红外气体探测器 |
| 2.3.3 红外通信装置 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章.MEMS 红外光源结构设计与仿真分析 |
| 3.1 光源结构设计 |
| 3.2 材料掺杂改性方法研究 |
| 3.2.1 单晶硅反射层掺杂改性方法 |
| 3.2.2 多晶硅辐射层掺杂改性方法 |
| 3.3 ANSYS 仿真分析 |
| 3.3.1 ANSYS 软件介绍 |
| 3.3.2 光源辐射层热电耦合分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章.MEMS 红外光源制造工艺研究 |
| 4.1 工艺介绍 |
| 4.1.1 清洗工艺 |
| 4.1.2 氧化工艺 |
| 4.1.3 低压化学气相淀积（LPCVD）工艺 |
| 4.1.4 光刻工艺 |
| 4.1.5 刻蚀工艺 |
| 4.2 MEMS 红外光源的制作 |
| 4.2.1 掩膜版设计 |
| 4.2.2 工艺流程设计 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章.MEMS 红外光源性能测试 |
| 5.1 I-V 特性测试 |
| 5.2 温度特性测试 |
| 5.3 相对光谱测试 |
| 5.4 辐射强度测试 |
| 5.4.1 不同距离辐射强度测试 |
| 5.4.2 不同角度辐射强度测试 |
| 5.5 电光转化效率计算 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章.总结及展望 |
| 6.1 论文总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 |
| 致谢 |
（3）半导体火工桥用多晶硅薄膜的制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 致谢 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 半导体桥火工品及其应用 |
| 1.2 多晶硅薄膜的性质、制备及应用 |
| 1.3 本论文研究的主要内容 |
| 第二章 半导体火工桥 |
| 2.1 等离子体 |
| 2.1.1 等离子体定义 |
| 2.1.2 等离子体的重要特征—德拜屏蔽 |
| 2.2 半导体桥火工品的发火机理 |
| 2.2.1 半导体桥的发火机理 |
| 2.2.2 半导体桥等离子光谱 |
| 2.2.3 半导体桥的热量传递机制 |
| 2.2.4 半导体桥的能量耗散分布 |
| 2.3 半导体桥火工品的研究进展和发展趋势 |
| 2.3.1 国外研究进展 |
| 2.3.2 国内研究进展 |
| 2.3.3 发展趋势 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 多晶硅薄膜的制备 |
| 3.1 氧化 |
| 3.1.1 二氧化硅层的作用 |
| 3.1.2 热氧化机制 |
| 3.1.3 二氧化硅薄膜层的制备 |
| 3.2 多晶硅薄膜的制备 |
| 3.2.1 薄膜的生长过程 |
| 3.2.2 多晶硅薄膜的制备 |
| 3.3 影响多晶硅薄膜质量的因素 |
| 3.3.1 氧沾污的原因和预防 |
| 3.3.2 薄膜均匀性的控制 |
| 3.3.3 薄膜“发雾”的分析 |
| 3.3.4 LPCVD 设备的使用、保养和维护 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 多晶硅薄膜性能研究 |
| 4.1 薄膜的表面形貌 |
| 4.1.1 表面形貌的表征—原子力显微镜 |
| 4.1.2 沉积温度对薄膜形貌的影响 |
| 4.1.3 沉积压强对薄膜形貌的影响 |
| 4.1.4 沉积时间对薄膜形貌的影响 |
| 4.1.5 退火对薄膜形貌的影响 |
| 4.2 薄膜的 XRD 分析 |
| 4.2.1 薄膜结晶状态的研究—XRD |
| 4.2.2 不同退火温度对薄膜结晶状态的影响 |
| 4.2.3 不同膜厚对薄膜结晶状态的影响 |
| 4.3 薄膜厚度 |
| 4.3.1 薄膜厚度的测量—台阶法 |
| 4.3.2 多晶硅薄膜的厚度 |
| 4.4 多晶硅薄膜的电学特性 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结和展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表的论文 |
（4）LPCVD多晶硅薄膜发雾的形成与消除（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 多晶薄膜发雾的形成因素与解决措施 |
| 2.1 工艺条件对多晶“发雾”的影响[2-6] |
| 2.2 气路系统对多晶“发雾”的影响[7] |
| 2.3 硅片表面缺陷对多晶“发雾”的影响 |
| 3 结论 |
（5）制备工艺对铝诱导多晶硅薄膜性能影响的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 多晶硅薄膜简介 |
| 1.3 多晶硅薄膜的制备方法 |
| 1.3.1 直接制备法 |
| 1.3.2 间接制备法 |
| 1.4 铝诱导晶化制备多晶硅薄膜概述 |
| 1.4.1 铝诱导晶化制备多晶硅薄膜机理 |
| 1.4.2 铝诱导晶化制备多晶硅薄膜的研究进展 |
| 1.5 本文研究思路及实验内容 |
| 第二章 材料的制备与表征 |
| 2.1 实验原料 |
| 2.2 材料的制备 |
| 2.2.1 材料制备的主要仪器 |
| 2.2.2 清洗衬底 |
| 2.2.3 热丝化学气相法沉积硅膜 |
| 2.2.4 磁控溅射法沉积铝膜 |
| 2.2.5 真空热蒸发法沉积铝膜 |
| 2.2.6 样品的后续退火 |
| 2.2.7 腐蚀去除残余铝膜 |
| 2.3 材料的表征 |
| 2.3.1 材料表征的主要设备 |
| 2.3.2 X 射线衍射仪 |
| 2.3.3 拉曼光谱仪 |
| 2.3.4 四探针电阻率/方阻测试仪 |
| 2.3.5 台阶仪 |
| 2.3.6 透-反射光学显微镜 |
| 2.3.7 紫外-可见-近红外光谱仪 |
| 第三章 磁控溅射法沉积铝膜诱导多晶硅薄膜及其性能 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 制备方法 |
| 3.3 测试及分析 |
| 3.3.1 XRD 分析 |
| 3.3.2 表面形貌分析 |
| 3.3.3 结晶性能分析 |
| 3.3.4 电学性能分析 |
| 3.3.5 光学性能分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 真空热蒸发法沉积铝膜诱导多晶硅薄膜及其性能 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 制备方法 |
| 4.3 测试及分析 |
| 4.3.1 XRD 分析 |
| 4.3.2 表面形貌分析 |
| 4.3.3 结晶性能分析 |
| 4.3.4 电学性能分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 温度因素对铝诱导多晶硅薄膜的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 制备过程 |
| 5.3 退火温度对铝诱导多晶硅的影响 |
| 5.3.1 表面形貌分析 |
| 5.3.2 XRD 分析 |
| 5.3.3 拉曼光谱分析 |
| 5.4 沉积铝膜的衬底温度对铝诱导多晶硅的影响 |
| 5.4.1 表面形貌分析 |
| 5.4.2 XRD 分析 |
| 5.4.3 拉曼光谱分析 |
| 5.5 本章总结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 |
（6）SIPOS钝化功率晶体管“双线击穿”曲线现象的分析（论文提纲范文）
| 1 管芯测试 |
| 2 问题分析 |
| 3 结语 |
（7）SIPOS钝化功率晶体管双线击穿现象的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 国内外研究现状及发展趋势 |
| 1.2.1 钝化技术研究现状 |
| 1.2.2 电子器件可靠性研究现状 |
| 1.3 本课题研究的目的和意义 |
| 1.4 本课题主要研究内容 |
| 第2章 SIPOS 钝化功率晶体管结构与制备工艺 |
| 2.1 SIPOS 钝化功率晶体管结构 |
| 2.1.1 SIPOS 钝化功率晶体管管芯纵向结构 |
| 2.1.2 SIPOS 钝化功率晶体管管芯横向结构 |
| 2.2 SIPOS 钝化功率晶体管制备工艺 |
| 2.3 SIPOS 钝化层的制备及性能 |
| 2.3.1 SIPOS 薄膜制备工艺 |
| 2.3.2 SIPOS 钝化机理 |
| 2.3.3 SIPOS 钝化层性能 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 SIPOS 钝化功率晶体管电参数与反向击穿电压测试 |
| 3.1 SIPOS 钝化功率晶体管电参数要求 |
| 3.2 常见的双极型晶体管反向击穿 |
| 3.2.1 常见击穿现象 |
| 3.2.2 雪崩击穿条件 |
| 3.2.3 常见影响击穿特性的因素 |
| 3.3 SIPOS 钝化功率晶体管反向击穿电压测试 |
| 3.3.1 反向击穿电压测试原理 |
| 3.3.2 反向击穿电压测试方法 |
| 3.3.3 管芯反向击穿电压测试 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 “双线击穿”失效测试分析 |
| 4.1 失效分析流程 |
| 4.2 失效分析实验 |
| 4.2.1 管芯外观和击穿观测实验 |
| 4.2.2 半破坏性样片制备 |
| 4.2.3 样片反向击穿电压测试 |
| 4.3 测试结果分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 “双线击穿”曲线现象原因分析 |
| 5.1 失效问题点测试 |
| 5.1.1 “双线击穿”样片SIPOS 层元素能谱分析 |
| 5.1.2 良好击穿曲线样片SIPOS 层元素能谱分析 |
| 5.1.3 测试数据对比 |
| 5.2 失效原因分析 |
| 5.2.1 氧含量对SIPOS 层性能影响 |
| 5.2.2 工艺中引起氧含量超标的主要原因 |
| 5.2.3 “双线击穿”失效机理 |
| 5.2.4 出现“双线击穿”现象的原因 |
| 5.3 “双线击穿”现象解决与预防 |
| 5.3.1 预防“双线击穿”早期失效的方法 |
| 5.3.2 出现“双线击穿”现象的补救方法 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（8）LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的工艺（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 LPCVD结构层多晶硅研究 |
| 1.1 LPCVD结构层多晶硅 |
| 1.2 多晶硅晶粒与工艺参数的关系 |
| 1.3 实验 |
| 2 LPCVD掺P多晶硅研究 |
| 2.1 LPCVD掺P多晶硅 |
| 2.2 实验 |
| 3 结论 |
（9）低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究（论文提纲范文）
| 1 LPCVD沉积多晶硅薄膜的基本原理 |
| 1.1 多晶硅薄膜的淀积参数 |
| 2 讨论 |
| 2.1 影响多晶硅薄膜质量的因素 |
| 2.2 淀积温度和薄膜厚度与晶粒大小的关系[5-6] |
| 2.3 多晶硅厚度均匀性 |
| 2.4 多晶硅薄膜表面质量 |
| 3 结语 |
（10）LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 多晶硅薄膜的淀积 |
| 2.1 镊伤和擦伤 |
| 2.2 压力冲击 |
| 2.3 SiO2粉尘 |
| 2.4 泵速和碟阀 |
| 2.5 气路系统的洁净 |
| 3 结论 |
四、LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析（论文参考文献）
- [1]LPCVD法制备多晶硅薄膜工艺的研究[D]. 门小云. 河北工业大学, 2016(03)
- [2]高电光转化效率MEMS红外光源的制备及其性能研究[D]. 田英. 中北大学, 2013(10)
- [3]半导体火工桥用多晶硅薄膜的制备及性能研究[D]. 胡佳宝. 合肥工业大学, 2012(06)
- [4]LPCVD多晶硅薄膜发雾的形成与消除[J]. 许帅,徐超,王新胜,刘国柱. 电子与封装, 2012(02)
- [5]制备工艺对铝诱导多晶硅薄膜性能影响的研究[D]. 陈海力. 南京航空航天大学, 2011(11)
- [6]SIPOS钝化功率晶体管“双线击穿”曲线现象的分析[J]. 曹一江,史良钰,王振群,陈建春,刘晓为. 电子器件, 2009(02)
- [7]SIPOS钝化功率晶体管双线击穿现象的研究[D]. 史良钰. 哈尔滨理工大学, 2009(03)
- [8]LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的工艺[J]. 王立峰,贾世星,陆乐,姜理利. 功能材料与器件学报, 2008(02)
- [9]低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究[J]. 谭刚,吴嘉丽,李仁锋. 新技术新工艺, 2006(11)
- [10]LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析[J]. 张顾万,龙飞,阙蔺兰. 半导体光电, 2002(06)