一、42英寸彩色等离子体平板显示器存储处理与控制电路研究（论文文献综述）
刘畅[1]（2021）在《基于等离子体辅助制程的InGaZnO薄膜晶体管的研究》文中指出近年来,基于InGaZnO（IGZO）薄膜晶体管（Thin Film transistor,TFT）的背板驱动技术,由于其具有迁移率高、大面积均匀性好、可见光透过率优异、兼容现有a-Si TFT制程以及可应用于柔性显示等优点而被众多科研机构以及公司所关注。随着IGZO TFT在有源矩阵式显示等领域的广泛应用以及对显示品质要求的不断提高,人们对IGZO TFT的制程以及性能提出了更为严苛的要求。一方面,为了满足柔性显示的驱动电路的需求,匹配柔性衬底的耐受温度以及降低研发成本,IGZO TFT的制备温度需要进一步的降低;另一方面,随着显示需求的逐步升级,高分辨率、高刷新率的显示应用对IGZO TFT的迁移率、亚阈值摆幅以及稳定性等指标提出了更高的要求。因此,本论文的主要工作以基于等离子体辅助制程的IGZO TFT为主线,利用等离子体辅助相关方法,从降低IGZO薄膜沉积温度、提高IGZO TFT器件性能、增强IGZO TFT器件的稳定性等几个角度出发,探索研究实现低制备温度、高性能、高稳定性的IGZO TFT的方法,主要研究成果包括以下内容:（1）针对IGZO TFT面向低玻璃化温度廉价柔性衬底上的应用,扩展IGZO TFT应用于柔性显示时衬底的选择范围,我们提出利用电容耦合等离子体辅助方法在100℃的后退火温度下制备了IGZO TFT。相较于未引入等离子体辅助方法所制备的IGZO TFT,在同一退火温度下引入等离子体辅助方法制备的IGZO TFT各项电学性能指标有了较大幅度的提高。我们利用这一方法,在40 W辅助等离子体功率、100℃的后退火温度条件下,获得了迁移率高达26.03 cm2/V·s,阈值电压为2.00 V,亚阈值摆幅为0.33 V/decade的高性能IGZO TFT。为了进一步调控利用电容耦合等离子体辅助方法制备的IGZO TFT的电学特性,我们引入了低温制备的组分可调缓冲层对IGZO TFT中的栅介质层进行修饰,这种组分可调的栅介质缓冲层是利用电感耦合-等离子体增强化学气相沉积系统在70℃的条件下实现沉积,通过控制沉积过程中的O2流量,可以对栅介质缓冲层的成分进行调节。在后续的等离子体辅助制备IGZO沟道层的过程中,这种栅介质缓冲层中的H原子可以在辅助等离子体轰击的作用下掺杂至正在沉积过程中的IGZO薄膜内,从而改善了IGZO TFT的电学性能。此外,在IGZO TFT制备的后退火过程中,在浓度梯度的作用下,栅介质缓冲层中残留H原子也可以通过扩散作用掺杂至IGZO薄膜中。我们所提出的这一方法所研制的IGZO TFT具有工艺温度低、电学性能优异的特点,为未来高性能柔性显示提供了一种全新的思路。另一方面,我们还利用电容耦合等离子体辅助方法同时结合高Zn组分的IGZO,在无需后退火的条件下,成功制备了具有C轴结晶取向的IGZO TFT,然而受限于这种方法所制备薄膜的Zn含量较高,迁移率仅有6.05 cm2/V·s,其性能有待进一步提高。（2）目前,由于未钝化的IGZO TFT普遍存在的空气中偏压稳定性的问题,我们针对IGZO TFT产生阈值电压漂移问题的根源—背沟道水氧吸附进行了研究。我们提出利用电感耦合—等离子体增强化学气相沉积法,以HMDSO为前驱体在大约80℃的温度下制备了有机硅薄膜作为IGZO TFT的背沟道钝化层。得益于这种背沟道钝化层对水氧的优良阻隔特性,在引入了背沟道钝化层后IGZO TFT的正负偏压下阈值电压漂移现象得到了明显的改善,并且在偏压测试后展现了良好的恢复特性。针对在负偏压稳定性的测试过程中观察到的Ids电流异常现象,我们从陷阱捕获/发射的角度对这一现象进行了详细阐述。此外,我们利用在沉积背沟道钝化层过程中由前驱体HMDSO的氧化分解引起的H掺杂效应,实现了IGZO TFT电学特性的提高。相较于未使用有机硅钝化层的IGZO TFT,器件的迁移率从11.99 cm2/V·s提高至17.78 cm2/V·s,亚阈值摆幅从0.63 V/decade降低至0.41 V/decade,而开关比则从106提高至107。我们利用傅立叶红外光谱,动态二次离子质谱等多种表征手段详细分析了性能提高的内在机理。这种利用有机硅作为钝化层的方法具有工艺温度低、可见光透过率高兼容全透明TFT、稳定性好等优点,为实现稳定的高性能IGZO TFT提供了一种新的方法。（3）为了满足对IGZO TFT的日益提高的性能需求,进一步降低亚阈值摆幅等关键电学指标,我们提出利用电容耦合等离子体氧化SiNx栅介质的方法大幅降低了IGZO TFT的亚阈值摆幅。在引入了等离子氧化SiNx栅介质后,我们获得了亚阈值摆幅仅有0.097 V/decade的低亚阈值摆幅IGZO TFT。通过对SiNx表面的X射线光电子能谱（XPS）测试结果进行分析我们发现,引入等离子氧化SiNx栅介质过程后,会在SiNx表面形成一层富氧层,通过角分辨XPS对SiNx/IGZO界面附近进行测试,证明了这一预植入的富氧层可以有效地抑制SiNx/IGZO界面处的氧空位的形成,从而降低了SiNx栅介质与IGZO沟道层界面处的缺陷态密度。除此之外,我们还对引入等离子体氧化栅介质前后的IGZO TFT在光照条件下的负偏压稳定性进行了测试。测试结果表明,得益于SiNx/IGZO界面处的氧空位的减少,引入等离子体氧化SiNx栅介质层的IGZO TFT在7200 s负偏压光照测试后阈值电压漂移量从-4.75 V大幅降低至-0.37 V。而我们利用电导法对界面处的缺陷态密度进行了测量估算,进一步证明了等离子体氧化SiNx栅介质过程的引入可以使得界面缺陷态密度降低,从而令IGZO TFT的电学性能以及稳定性有了大幅度的提高。（4）在我们对IGZO TFT的研究过程中,发现国际上不同课题组所制备的结构相近的IGZO TFT所获得的亚阈值摆幅不尽相同,离散程度很高,通过进一步对不同栅介质材料以及亚阈值摆幅的相关工作进行统计分析,我们发现亚阈值摆幅与栅电压的采样间隔呈现一定的变化规律。为了探究出现这一现象的原因,我们利用了不同的栅电压采样间隔对制备的IGZO TFT进行了测试,并通过泰勒展开对前向差分以及中心差分法提取的亚阈值摆幅进行了分析,解释了出现上述离散现象的原因。此外,我们提出了一个兼顾测试效率以及测试准确性的栅电压采样间隔的经验公式,对同行的相关工作提供了一定参考作用。
王家先[2]（2020）在《基于InP/ZnS量子点的全彩色Micro-LED陈列显示器件设计及制作研究》文中指出Micro-LED显示技术是次世代高分辨显示技术,在显示领域具有极大的应用潜力。全彩显示能力是显示器件的重要评价指标,如何实现Micro-LED的全彩化能力也正是该显示技术在发展进程中面临的核心难题。目前,国际上全彩色Micro-LED显示器件的制备主要采用三基色MicroLED芯片转移拼装技术,包括流体自组装、PDMS转印以及机械转印等。但迄今为止,芯片转移拼装方案在LED芯粒的拾取、转移精度控制、转移效率以及缺陷修复等方面的技术瓶颈仍有待攻克,Micro-LED器件全彩色制备技术仍是限制Micro-LED器件快速发展和产业应用的卡脖子技术。为研究全彩色Micro-LED显示器件的新型制备技术,本论文提出以蓝光Micro-LED器件为基础,借助环境友好型InP/ZnS核壳结构量子点材料实现全彩色Micro-LED器件的技术方案。将量子点材料与Micro-LED进行复合应用,是Micro-LED全彩化制备的重要解决方案。本论文的研究内容主要包括3个部分:（1）概述了用于制备蓝光LED的GaN材料特性及LED外延片结构,介绍了LED工作原理和光电特性,介绍并分析了单色Micro-LED器件和全彩色Micro-LED器件研究进展;（2）设计了集成全彩色Micro-LED显示器件新型结构,进行了InP/ZnS量子点色转换层基板结构设计、工艺流程设计及制作,通过喷墨打印技术制备了像素单元中心间距90μm的16×16 InP/ZnS量子点色转换层器件,此外,也探究了基于Lift-Off工艺的InP/ZnS量子点色转换层制备技术;（3）进行了主动驱动式蓝光Micro-LED阵列器件制作工艺流程设计,对包括热压键合、蓝宝石laser lift-off及ICP刻蚀等蓝光Micro-LED阵列器件制备关键步骤进行了工艺验证。
秦昱[3]（2020）在《高性能氧化物薄膜晶体管的制备与研究》文中指出近年来,由于金属氧化物半导体薄膜晶体管具有制备温度低、稳定性好、兼容柔性衬底、迁移率高和成本低等优势,其显示出巨大的应用前景并得到了广泛的研究。金属氧化物薄膜一般利用磁控溅射、脉冲激光沉积等真空技术制备,但随着对高性价比和大面积电子产品需求的快速增长,薄膜晶体管需要在低成本下进行器件集成。溶液法因其简单、经济、均匀性好和可在大气下制备等优点成为非常具有竞争力的选择,因此其适合制备大面积柔性电子产品,比如柔性显示屏、智能可穿戴设备等。本论文围绕溶液法制备的n型氧化物薄膜晶体管开展研究,主要内容和结果集中在以下两个方面:（1）使用水溶液法在450°C的退火温度条件下制备了不同In含量的IGO薄膜晶体管。并对IGO薄膜进行AFM、XRD、PL、XPS等表征,结果表明不同组分的薄膜均呈非晶状态,团簇较少,表面均匀且光滑,均方根粗糙度在纳米级,这有利于获得具有高均匀性的氧化物薄膜。In含量的升高会使金属氧化物晶格中的氧空位和深能级陷阱态增加,并能减小薄膜的禁带宽度,在In与Ga的摩尔比为1:1时,其Eg为4.25 eV。除此之外,In含量的增加会使金属氧化物晶格中的M-O键增多,这有利于其导电性的增强。在IGO上热蒸发Al即完成了制备底栅顶接触器件的流程,电学性能分析表明,IGO薄膜晶体管具有n沟道场效应晶体管特性,且随着In含量的升高,器件的饱和载流子迁移率和开关电流比会增加,沟道中的缺陷密度也会减少,器件的饱和源漏电流从n A级增加至mA级。在In与Ga的摩尔比为1:1时,IGO薄膜晶体管的μsat为3.63 cm2V-1s-1,Vth为2.5 V,Ion/Ioff为106,表现出良好的场效应特性。以上结果表明,在低温退火条件下,In掺杂能够显着提升溶液法制备的Ga2O3薄膜晶体管的性能。（2）使用水溶液法在低温退火条件下制备了AlGaO薄膜。研究发现,不同组分的薄膜均为非晶态,表面十分光滑,光滑的表面可使栅绝缘层和沟道层之间形成良好的界面接触。AlGaO在波长为380～780 nm的入射光区间里透过率高于98%,Al含量的增多会使其Eg变大。薄膜的泄漏电流较低,结合AlGaO薄膜良好的表面形貌,其作为绝缘层可以减少沟道层的缺陷浓度和器件的静态功耗。薄膜的电容值在低频工作时较高,在高频工作时会下降,这表明溶液法制备的AlGaO薄膜中存在较多的缺陷。在Al与Ga的摩尔比为1:1的薄膜上沉积IZO前驱体溶液,300°C退火后热蒸发电极,即完成了底栅顶接触器件的生产流程,器件具备n沟道场效应晶体管特性,其μsat为7.7 cm2V-1s-1,Vth为0.2 V,Ion/Ioff为2.7×104。以上结果表明,AlGaO作为栅绝缘层时栅极电压能够有效地控制沟道层的导电性并调制源漏电流,以此实现薄膜晶体管开关状态的切换。
胡杰[4]（2020）在《基于Zynq的LCD动态调光控制系统设计》文中研究指明目前,液晶显示屏（Liquid Crystal Display,LCD）已经广泛应用于各种手机、平板、移动终端等设备上。对于LCD显示设备,液晶屏幕的显示功耗是其耗电的主要原因。LCD屏幕一般由两部分组成:液晶显示模块和背光模块。液晶显示模块负责图像数据的显示,而背光模块负责显示屏的亮度调节。目前,大部分LCD显示设备中,背光模块保持恒定亮度,因而系统显示功耗过大,且极易因漏光现象导致图像显示质量的降低。通过动态调光算法自适应调节LCD屏幕的背光亮度,可以有效解决上述问题。本文针对嵌入式移动显示设备,提出了一种基于图像内容的自适应调光算法（Image content-based adaptive dimming algorithm,ICADA）,并基于现场可编程门阵列Zynq平台设计和实现了相应背光调节显示控制系统。论文的主要研究内容如下。1)分析了LCD显示技术、背光调节技术和图像显示处理平台技术的研究现状;并针对现有背光调节算法存在的问题,给出了解决思路。在此基础上,给出了LCD结构、显示原理以及动态调光原理,介绍了系统设计和开发所需的软、硬件平台的概况。2)针对现有算法存在问题,提出了基于图像内容的自适应调光算法ICADA,首先根据输入图像的亮度均值和最大值定义高亮度像素贡献度,以描述图像中高亮度像素细节对图像的重要程度,在亮度均值的基础上动态调节背光亮度;然后,将调光前后亮度比值的算术平方根作为γ参数,提出了一种自适应Gamma补偿法,对调光后图像进行像素补偿。通过Matlab仿真,对所提出算法性能进行了主、客观评估。实验结果显示,ICADA可显着降低低亮度图像的背光功耗（背光功耗节省率最高可达58.159%）,并提升图像显示细节和降低高亮度图像像素失真（结构相似度指标最高可达0.9999）。3)基于Zynq XC7Z7020芯片,采用硬件描述语言和高层设计方法,设计和实现了所提出的动态调光算法、用于背光调节的脉宽调制控制算法,以及与主机通信的数字视频接口（Digital Visual Interface,DVI）解码算法及相应IP核,并辅以Xilinx官方提供的IP核,设计和实现了动态调光控制系统。在此基础上,利用Zynq开发板AX7020、LCD显示模块AN870和PC机搭建了相应的测试验证平台;并分别采用静态图像测试和视频测试的方法,对调光控制系统的性能进行了评估。实验和测试结果表明,所设计背光调节系统可在使用较少系统资源的情况下,达到降低系统功耗和提高图像显示质量的效果。
赖良德[5]（2019）在《硅基OLED微显示器关键电路研究》文中进行了进一步梳理硅基有机发光二极管微显示器（Organic Light-Emitting Diodes-on-Silicon Microdisplay,OLED-on-Silicon）是一种将有机发光二极管制作在单晶硅片上的新型显示技术,它具有自发光、全固态、响应速度快、视角宽和易于集成化等优点,吸引了广大研究者的兴趣。本文将硅基OLED微显示器的像素电路作为主要研究对象,并提出一种800×600像素分辨率的驱动方案。本文的主要工作内容如下:（1）提出一个基于陷阱电荷限制电流理论（Trapped-Charge-Limited Current,TCLC）的硅基OLED等效电路模型。该模型由3个电阻、2个电容和1个二极管构成,通过HSPICE软件仿真,仿真电流与实验测量电流的最大误差为6.7%,相比于传统的OLED等效电路模型减少了17.8%,仿真结果表明本文所提出的硅基OLED等效电路模型跟实验测量数据有很好的一致性,可以精确的反映OLED的V-I特性,提高了像素驱动电路仿真结果的精确性。（2）为了同时补偿驱动管阈值电压漂移和解决OLED老化衰减所引起的像素电流稳定性下降的问题,本文提出了一种6T1C型像素驱动电路,该电路由6个NMOS管和1个电容构成。在驱动管阈值电压漂移量为-7.25mV7.12mV和OLED内部电阻偏移量为08MΩ时,6T1C型像素驱动电路的电流偏差为-0.144LSB0.416LSB和-0.48LSB0.6LSB,像素尺寸为5.5μm×16.5μm。为了在提高像素电流稳定性的同时进一步缩小像素面积和减少驱动的复杂性,本文又提出了一种4T1C型像素驱动电路,该电路由4个NMOS管和1个电容构成,在驱动管阈值电压漂移量为-7.25mV7.12mV和OLED内部电阻偏移量为08MΩ时,4T1C型像素驱动电路的电流偏差为-0.16LSB0.24LSB和-0.72LSB0.024LSB,像素尺寸为5μm×15μm,相比于6T1C型像素驱动电路面积缩小了17.36%。（3）设计了一个硅基OLED微显示器的驱动系统,包括行驱动电路、像素矩阵和列驱动电路。所设计的微显示器的分辨率为800×600,帧频为60Hz,实现256级灰度显示,采用3.3V/5V双电源电压驱动。Cadence软件仿真结果表明,本文所设计的硅基OLED微显示器驱动系统方案符合器件设计指标要求。
吕延晓[6]（2018）在《液晶显示器（LCD）产业的迭代演进》文中进行了进一步梳理液晶显示器已成为平板显示器（FPD）的主流产品。介绍了液晶显示器的基本概念、工作原理与基本架构,同时还简要地综述了液晶显示器发展过程、产业价值链与近期的市场状况。
林韵英[7]（2006）在《FED灰度调制方法的研究及其驱动电路实现》文中提出场致发射显示器集CRT的高显示质量和LCD的低功耗优点于一身,是一种新兴的具有广阔发展潜力的自发光平板显示器件。福州大学从事印刷型低逸出功FED的研究已有多年,现已研制出25英寸VGA级彩色FED显示器样机,这是目前国内最好的FED显示器样机。在分析比较各种显示器灰度调制方法后,根据FED显示屏的光电特性,本文提出了适用于FED的灰度调制新方法——数据传输与显示并行的子行灰度调制方法。并据此自行设计、仿真并调试成功了FED子行灰度调制驱动电路,该电路首次采用FPGA控制PDP专用驱动芯片对FED显示器实现灰度调制,具有创新性。本文制作的新型FED子行灰度调制驱动电路由于采用新型芯片和技术而在集成度、灵活性和抗干扰能力等方面具有明显优势。基于ALTERA公司CYCLONE系列FPGA和ST公司STV7610驱动芯片设计的FED显示器的灰度调制电路系统可以支持两种调制波形,具有配置灵活,显示性能好等优点,其集成度为原有系统的三倍,且造价更低廉;基于QuartusII软件平台进行了FPGA的系统开发与优化,采用单片FPGA完成了全部的数据转换和系统控制功能, FPGA的可编程特性使系统的设计具有充分的灵活性和可扩展性。此外,本文还讨论了FED显示电路的抗干扰设计措施,通过信号完整性仿真分析与实验,提出了驱动电路稳定性的改进方法。实际电路测试证明,子行灰度调制的方法适用于印刷型低逸出功FED显示屏,所设计的灰度调制驱动电路已成功应用于25英寸彩色FED样机中,可显示VGA格式视频图像,灰度等级为256级,显示亮度达400cd/m2。文中子行灰度调制方法的提出是对于FED灰度调制方法的扩展与创新,在目前市场上的FED专用驱动芯片凤毛麟角的情况下,对推动FED驱动电路技术的发展具有很强的现实意义。实际上,文中还提出了采用PDP驱动芯片进行PWM调制的控制方法和相应驱动波形设计,并就与子行灰度调制方法共享有关硬件和软件平台来驱动FED显示屏进行了有益的探讨。除了电路制作和控制编程外,本文从FED显示屏典型像元的等效电路入手,采用理论公式推导、分析和仿真结合,指出了驱动电路设计中的关键参数选择准则。这有利于改善FED整机的高频特性,提高FED的显示质量。
汤勇明[8]（2006）在《SMPDP等效电路模型的研究》文中研究指明在大屏幕娱乐平板显示终端产品领域,目前最主流产品是等离子体显示屏和液晶屏。两者各有优缺点,严酷的市场竞争促使它们的技术都必须不断创新和改进。荫罩式等离子体显示器（SMPDP）技术方案的提出为等离子体显示器技术指出了一条有效的低成本化道路,对其继续保持在40英寸以上大屏幕平板显示器市场领域的主导地位具有非常重要的作用。在PDP技术研发领域,等效电路模型研究方法正因其快速、简洁、直观等突出优势近年来得到较好的发展。本论文的研究重点是设计针对SMPDP技术的等效电路模型,并构建和完善SMPDP适用的等效电路模型研究体系。论文首先详细分析了SMPDP的放电单元结构特点及其工作机制,设计并实施了多组特性测试实验,得到SMPDP气体放电的工作特性以及电路系统中对于SMPDP负载、驱动方式的变化而产生影响的实际结果。参考上述结果,根据SMPDP放电空间的结构特点和气体放电特性,本论文提出了SMPDP等效电路模型,它主要由电容网络和晶闸管元件构成,具有结构简单,应用方便的特点。经过利用商用电路模拟软件进行性能仿真所得的结果与测试结果相符,显示出良好的准确性和可等效替代性。该模型已经在SMPDP壁电荷工作机理阐述、能量复得电路功效分析和部分电路系统调整和优化实验等实际工作起到了良好的辅助设计作用。为了扩展SMPDP等效电路模型的应用场合,进一步降低系统开发成本,论文还先后分析了SMPDP等效电路模型参数变化对系统工作特性的影响,以及SMPDP等效电路模型参数与SMPDP结构设计之间的关系。在现有条件下,完成了SMPDP整屏等效电容取值经验公式的构建工作。
冯涛[9]（2006）在《碳纳米管场发射平板显示器件关键技术的研究》文中指出本文在国家973计划和上海市纳米专项的资助下，以碳纳米管场发射平板显示器件（CNT-FED）的实用化和产业化为目标，开展CNT-FED器件制备的关键技术研究。本论文中对涉及CNT-FED制备的全套工艺，包括碳纳米管阴极的制备、阴极场发射性能的改善、三极管器件结构的设计与实现以及器件的封装进行了全面研究，开发了一套基于低成本丝网印刷工艺的CNT-FED器件制备工艺，并最终获得了较好显示度的CNT-FED器件。本论文主要包含以下几部分内容： 一、设备研制 自行设计并建立了一台多功能超高真空系统。该系统集PECVD、等离子体表面处理、场发射测试、器件真空封接、高真空退火等功能于一体。目前能够在多种衬底上沉积碳纳米管、并进行阴极的等离子体表面处理，场发射性能测试等。 二、阴极发射性能的改善 从CNT的发射表面、CNT膜本身的电子传导性能以及CNT与衬底材料的接触性能这三个方面入手，研究改善印刷法制备的CNT阴极电子发射性能的方法。 （1） 采用等离子体表面处理的方法使印刷法制备的CNT阴极发射点密度有数量级提高并达到显示用要求。FESEM发现等离子体表面处理后CNT的表面出现了大量的瘤状的纳米颗粒，HRTEM确认了这种纳米级瘤状颗粒是球状富勒烯结构。本文认为这种类似于CNT发射尖端的富勒烯球与管壁的结合使CNT的发射模式从单尖端发射变为多尖端发射，宏观上导致了处理后CNT阴极电子发射点密度数量级的增加。 （2） 发现了印刷法制备的CNT膜的记忆发射效应。利用这种CNT膜的记忆发射特性，我们可以通过机械图形转移法很容易的获得清晰的图形化发射，不再需要阴极的图形化工艺和复杂的后处理工艺。本文认为表面图形转移的过程使表面具有发射能力的CNT和从衬底到表面的导电通道的数量大大增加，从而使图形
艾俊华[10]（2005）在《等离子显示器（PDP）扫描驱动芯片的设计》文中提出功率集成电路是当今国际上迅速发展起来的一种新颖的集成电路产品，它是电力电子技术与微电子技术相结合的产物。作为功率集成电路的一个重要分支，高压集成电路（HVIC）是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路，高压集成电路是在高压器件、高压IC工艺以及设计技术的基础上发展起来的。它被广泛应用于包括智能开关电源、整流电路、马达控制、显示驱动等多个领域。 本项目从等离子体显示器扫描电极电路的工作原理出发，在剖析ST公司的扫描驱动芯片STV7697A的基础上，设计PDP显示器所需的扫描高压驱动芯片。 本文对PDP的工作原理和系统结构作了详细的介绍和分析，反向提取了扫描驱动芯片STV7697A的线路图，对扫描芯片中的电路结构和工作原理作了分析并在计算机上对数字部分的电路进行了模拟仿真。仿真的结果验证了电路的功能。随后根据制定的设计规则完成了数字部分的全定制版图设计，并对版图进行了DRC、LVS以及后仿真验证。数字部分在上海ICC进行了流片，流片后的芯片经测试功能达到了芯片的设计和使用要求。在电路的设计中，使用的是Cadence中的一系列的CAD工具。文中还分析了高压器件的结构，并在考虑到高、低压器件在工艺上兼容性的基础上设计了工艺流程，定量计算了为实现高压驱动所需的工艺参数值。 本设计数字部分目前采用的是无锡华晶上华半导体有限公司的0.6μm双阱（twin well）、双多晶硅（double poly）、双金属（double metal）的5伏标准CMOS工艺。接下来的工作是，在高压工艺成熟后把高压部分与控制部分进行集成并进行第二次流片。
二、42英寸彩色等离子体平板显示器存储处理与控制电路研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、42英寸彩色等离子体平板显示器存储处理与控制电路研究（论文提纲范文）
（1）基于等离子体辅助制程的InGaZnO薄膜晶体管的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 TFT的发展 |
| 1.1.1 氢化非晶硅TFT(a-Si:H TFT) |
| 1.1.2 低温多晶硅TFT(LTPS TFT) |
| 1.1.3 IGZO TFT |
| 1.2 IGZO TFT的结构以及工作原理 |
| 1.2.1 IGZO TFT的结构 |
| 1.2.2 IGZO TFT的工作原理 |
| 1.3 IGZO TFT的主要参数 |
| 1.3.1 场效应迁移率 |
| 1.3.2 阈值电压 |
| 1.3.3 开关比 |
| 1.3.4 亚阈值摆幅 |
| 1.3.5 偏压稳定性 |
| 1.4 IGZO TFT的研究进展 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 等离子体辅助低温制备IGZO TFT的研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 器件的制备 |
| 2.3 等离子体辅助低温制备高性能IGZO TFT的研究 |
| 2.3.1 等离子体辅助制备IGZO TFT的电学特性 |
| 2.3.2 辅助等离子体对IGZO TFT电学特性的影响机理研究 |
| 2.4 低温制备有机硅栅介质缓冲层对IGZO TFT性能影响的研究 |
| 2.4.1 不同O_2流量沉积的栅介质缓冲层对IGZO TFT电学特性的影响 |
| 2.4.2 栅介质缓冲层对IGZO TFT电学特性的影响机理研究 |
| 2.5 等离子体辅助低温制备C轴结晶IGZO TFT的研究 |
| 2.5.1 Zn含量以及等离子体功率对IGZO C轴结晶的影响 |
| 2.5.2 O_2浓度对等离子体辅助制备C轴结晶IGZO的影响 |
| 2.5.3 C轴结晶IGZO TFT的电学特性 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 ICP-PECVD低温制备有机硅背沟道钝化层(PVL)对IGZO TFT电学特性的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 器件的制备 |
| 3.3 有机硅背沟道PVL对 IGZO TFT电学性能的影响 |
| 3.4 H掺杂的机理研究 |
| 3.5 有机硅PVL对 IGZO TFT偏压稳定性的影响 |
| 3.5.1 PVL对 IGZO TFT的正栅偏压稳定性(PBS)的影响 |
| 3.5.2 PVL对 IGZO TFT的负栅偏压稳定性(NBS)的影响 |
| 3.5.3 NBS过程中的源漏电流异常及其形成机理的研究 |
| 3.5.4 IGZO TFT偏压测试后的恢复特性 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 等离子体氧化SiN_x栅介质对IGZO TFT电学特性的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 器件的制备 |
| 4.3 SiN_x栅介质的表面氧化对IGZO TFT电学特性的影响 |
| 4.3.1 等离子体氧化对SiN_x表面粗糙度的影响 |
| 4.3.2 等离子体氧化对SiN_x表面化学键的影响 |
| 4.3.3 等离子体氧化对SiN_x/IGZO界面的影响 |
| 4.3.4 电导法提取SiN_x/IGZO界面态密度 |
| 4.4 等离子体氧化SiN_x栅介质对IGZO TFT光照稳定性的影响. |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 栅电压采样间隔对亚阈值摆幅参数提取的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 器件的制备 |
| 5.3 栅电压采样间隔对IGZO TFT转移特性的影响 |
| 5.4 亚阈值摆幅对栅电压采样间隔的依赖关系 |
| 5.4.1 前向差分法 |
| 5.4.2 中心差分法 |
| 5.4.3 两种差分方法提取亚阈值摆幅的结果分析 |
| 5.5 栅电压采样间隔的经验公式 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 |
| 致谢 |
（2）基于InP/ZnS量子点的全彩色Micro-LED陈列显示器件设计及制作研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 平板显示器件概述 |
| 1.1.1 LCD显示器件 |
| 1.1.2 OLED显示器件 |
| 1.1.3 QLED显示器件 |
| 1.1.4 Micro-LED显示器件 |
| 1.2 单色Micro-LED阵列器件研究现状 |
| 1.3 全彩色Micro-LED显示器件研究状况 |
| 1.4 本文主要研究内容 |
| 第2章 LED基础理论 |
| 2.1 蓝光LED材料基础 |
| 2.1.1 GaN晶体结构及材料特性 |
| 2.1.2 蓝光LED外延片材料 |
| 2.2 LED发光机理 |
| 2.3 LED电学特性 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 全彩色Micro-LED显示器件结构设计 |
| 3.1 全彩色Micro-LED显示器件整体结构设计 |
| 3.2 量子点色转换层结构设计 |
| 3.3 蓝光Micro-LED阵列结构设计 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 量子点色转换层工艺流程设计及制作分析 |
| 4.1 量子点色转换层制备工艺流程设计 |
| 4.2 色转换层基板制作 |
| 4.2.1 500 nmDBR滤光膜层的制备 |
| 4.2.2 图案化DBR滤光膜层制备 |
| 4.2.3 PDMS膜层制备 |
| 4.3 InP/ZnS量子点色转换层制备 |
| 4.3.1 喷墨打印技术图案化量子点色转换层制备 |
| 4.3.2 基于Lift-off工艺图案化量子点膜层制备方法 |
| 4.4 InP/ZnS量子点膜层蓝光吸收特性分析 |
| 4.5 DBR滤光膜层蓝光抑制特性分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 蓝光Micro-LED阵列的关键制作技术研究 |
| 5.1 蓝光Micro-LED阵列工艺流程设计 |
| 5.2 蓝光Micro-LED阵列器件关键工艺验证 |
| 5.2.1 CMOS驱动背板与外延片的金属键合 |
| 5.2.2 蓝宝石衬底激光剥离 |
| 5.2.3 LED外延层的刻蚀 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 创新点 |
| 6.3 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（3）高性能氧化物薄膜晶体管的制备与研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 氧化物半导体材料 |
| 1.3 薄膜晶体管的发展 |
| 1.3.1 非晶硅薄膜晶体管 |
| 1.3.2 多晶硅薄膜晶体管 |
| 1.3.3 有机薄膜晶体管 |
| 1.4 氧化物薄膜晶体管研究进展 |
| 1.4.1 Ga_2O_3薄膜晶体管 |
| 1.4.2 In_2O_3薄膜晶体管 |
| 1.4.3 ZnO薄膜晶体管 |
| 1.4.4 其他氧化物薄膜晶体管 |
| 1.5 本论文的研究意义及章节安排 |
| 第二章 氧化物薄膜晶体管的原理和制备方法 |
| 2.1 薄膜晶体管的结构 |
| 2.2 薄膜晶体管的原理 |
| 2.3 TFT的性能参数 |
| 2.4 薄膜晶体管的制备方法 |
| 2.4.1 磁控溅射 |
| 2.4.2 原子层沉积 |
| 2.4.3 脉冲激光沉积 |
| 2.4.4 溶液法 |
| 2.5 氧化物薄膜晶体管的表征手段 |
| 2.5.1 原子力显微镜 |
| 2.5.2 X射线衍射 |
| 2.5.3 光致发光光谱 |
| 2.5.4 X射线光电子能谱 |
| 2.5.5 紫外-可见分光光度计 |
| 2.5.6 椭圆偏振光谱仪 |
| 第三章 IGO薄膜晶体管的制备与研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 器件制备 |
| 3.2.1 实验药品 |
| 3.2.2 前驱体溶液配制 |
| 3.2.3 器件制备流程 |
| 3.3 IGO薄膜的性质分析 |
| 3.4 IGO薄膜晶体管的电学特性分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 栅绝缘层为AlGaO的IZO薄膜晶体管的制备与研究 |
| 4.1 器件制备 |
| 4.1.1 实验药品 |
| 4.1.2 前驱体溶液配制 |
| 4.1.3 器件制备流程 |
| 4.2 器件表征 |
| 4.2.1 AlGaO薄膜性能分析 |
| 4.2.2 器件电学性能分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（4）基于Zynq的LCD动态调光控制系统设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 注释表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题的研究背景与意义 |
| 1.2 LCD显示技术现状分析 |
| 1.2.1 显示器件发展概况 |
| 1.2.2 LCD显示技术现状 |
| 1.3 动态背光调节技术研究现状 |
| 1.4 图像显示处理平台技术研究现状 |
| 1.5 本文的主要内容与结构 |
| 第二章 TFT-LCD调光原理及系统开发平台 |
| 2.1 TFT-LCD结构与显示原理 |
| 2.1.1 TFT-LCD结构介绍 |
| 2.1.2 TFT-LCD显示原理 |
| 2.2 LCD动态调光原理 |
| 2.3 系统软硬件开发与测试平台 |
| 2.3.1 系统软件开发平台 |
| 2.3.2 系统硬件开发平台 |
| 2.3.3 系统测试平台 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 基于图像内容的自适应动态调光算法及其性能评估 |
| 3.1 背光亮度调节算法 |
| 3.1.1 传统背光亮度调节算法 |
| 3.1.2 本文背光亮度调节算法 |
| 3.2 像素补偿算法设计 |
| 3.2.1 传统图像像素值补偿算法 |
| 3.2.2 本文像素补偿算法的提出 |
| 3.3 性能评价指标 |
| 3.4 算法性能分析 |
| 3.4.1 像素补偿算法性能评估 |
| 3.4.2 背光亮度的调节算法性能评估 |
| 3.4.3 主观画质评估 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 动态调光控制系统的Zynq设计及实现 |
| 4.1 动态调光控制系统方案设计 |
| 4.2 动态调光算法IP核设计 |
| 4.2.1 Cordic算法设计平方根运算 |
| 4.2.2 指数函数运算的设计 |
| 4.2.3 动态调光算法 IP 核的设计实现 |
| 4.3 DVI解码算法IP核设计 |
| 4.3.1 DVI视频接口及其功能 |
| 4.3.2 DVI解码电路设计与验证 |
| 4.4 PWM控制器IP核设计 |
| 4.5 系统的搭建与Zynq控制流程 |
| 4.5.1 动态调光控制系统工程搭建 |
| 4.5.2 动态调光算法的性能测试与分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 |
（5）硅基OLED微显示器关键电路研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微显示技术概述 |
| 1.3 硅基OLED微显示器国内外研究现状 |
| 1.4 论文的主要意义及研究内容 |
| 1.5 论文安排 |
| 第二章 OLED器件的工作原理及其等效电路模型设计 |
| 2.1 OLED器件的基本工作原理 |
| 2.1.1 OLED的器件结构 |
| 2.1.2 OLED的基本发光原理 |
| 2.1.3 OLED的 TCLC载流子传输模型 |
| 2.2 OLED等效电路模型设计 |
| 2.2.1 OLED等效电路模型的建立 |
| 2.2.2 OLED的 V-I特性 |
| 2.3 OLED等效电路模型仿真结果分析 |
| 2.3.1 模型参数确定 |
| 2.3.2 模型仿真结果分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 硅基OLED微显示器像素驱动电路研究 |
| 3.1 硅基OLED的驱动方式 |
| 3.1.1 硅基OLED的无源矩阵驱动方式 |
| 3.1.2 硅基OLED的有源矩阵驱动方式 |
| 3.2 有源矩阵硅基OLED像素驱动电路研究 |
| 3.2.1 2T1C型像素驱动电路 |
| 3.2.2 硅基OLED微显示器的像素补偿电路 |
| 3.3 电压驱动型6T1C型像素驱动电路 |
| 3.3.1 6T1C型像素驱动电路基本原理 |
| 3.3.2 6T1C型像素驱动电路仿真结果 |
| 3.4 电压驱动型4T1C型像素驱动电路 |
| 3.4.1 4T1C型像素驱动电路基本原理 |
| 3.4.2 4T1C型像素驱动电路仿真结果 |
| 3.5 本章总结 |
| 第四章 硅基OLED微显示器驱动系统设计 |
| 4.1 硅基OLED微显示器整体驱动系统 |
| 4.2 硅基OLED微显示器行驱动电路设计 |
| 4.3 硅基OLED微显示器列驱动电路设计 |
| 4.4 硅基OLED微显示器整体驱动系统仿真 |
| 4.5 本章总结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在攻读硕士学位期间所取得的科研成果 |
（6）液晶显示器（LCD）产业的迭代演进（论文提纲范文）
| 1 TFT-LCD的工作原理与基本结构 |
| 1.1 工作原理 |
| 1.1.1 单色显示原理 |
| 1.1.2 彩色显示原理 |
| 1.1.3 动态影像显示原理 |
| 1.1.4 TFT驱动原理 |
| 1.2 基本结构 |
| 1.2.1 液晶面板 |
| 1.2.2 背光模组 |
| 2 液晶显示器的产业化开发 |
| 2.1 生产线的代的划分 |
| 2.2 LCD制作工艺 |
| 2.3 LCD整机产业价值链 |
| 3 液晶显示器各要件的成本基本结构 |
| 4 LCD的市场概况 |
| 5 结束语 |
（7）FED灰度调制方法的研究及其驱动电路实现（论文提纲范文）
| 摘 要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 平板显示器技术概况 |
| 1.2 场致发射显示器的研究概况 |
| 1.3 本课题的目的和研究内容 |
| 第二章 场致发射显示的基本原理 |
| 2.1 场致电子发射的基本理论 |
| 2.2 FED 显示屏的结构和工作原理 |
| 第三章 FED 驱动电路系统的整体构成及其工作原理 |
| 3.1 FED 显示屏特性研究 |
| 3.1.1 FED 电学特性分析 |
| 3.1.2 FED 光学特性分析 |
| 3.2 FED 驱动电路的设计目标 |
| 3.3 FED 驱动电路系统构成及其工作原理 |
| 第四章 FED 灰度调制驱动电路实现方案的探讨 |
| 4.1 图像灰度显示的实现方法 |
| 4.2 传统的 FED 灰度调制驱动电路介绍 |
| 4.3 新型的灰度调制方法——子行灰度调制方法 |
| 第五章 FED 灰度调制驱动电路的硬件电路的研制 |
| 5.1 FED 灰度调制驱动电路系统的构成 |
| 5.2 FPGA 芯片 |
| 5.3 STV7610 芯片 |
| 5.4 STV7610 与HV632 驱动性能比较 |
| 5.5 FED 显示屏的电压驱动方式 |
| 5.6 硬件平台的开发与实现 |
| 5.6.1 功耗计算与电源模块设计 |
| 5.6.2 接口与 FPGA 外围电路设计 |
| 5.6.3 电路的信号完整性和 EMI 分析 |
| 第六章 FED 灰度调制驱动电路的软件设计 |
| 6.1 FPGA 开发平台介绍 |
| 6.2 FPGA 的开发流程 |
| 6.3 基于 STV7610 的 PWM 灰度调制驱动电路的软件设计 |
| 6.3.1 FPGA 电路结构设计 |
| 6.3.2 电路仿真与综合结果分析 |
| 6.4 基于STV7610 的子行灰度调制驱动电路的软件设计 |
| 6.4.1 子行灰度调制驱动电路的原理 |
| 6.4.2 FPGA 电路结构设计 |
| 6.4.3 电路仿真与综合结果分析 |
| 6.5 PWM 方法与子行方法的性能分析与比较 |
| 第七章 系统调试与结果分析 |
| 7.1 灰度调制驱动电路调试与测试 |
| 7.2 FED 驱动电路系统测试 |
| 7.3 FED 样机演示效果 |
| 7.4 演示效果分析 |
| 7.5 改进设想 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果及发表的学术论文 |
| 致谢 |
| 作者简历 |
（8）SMPDP等效电路模型的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 显示技术及PDP技术发展概况 |
| 1.1.1 显示技术的发展 |
| 1.1.2 PDP技术的发展概况 |
| 1.1.3 PDP基本工作原理 |
| 1.1.4 主流PDP结构介绍 |
| 1.2 当今PDP技术研究方法的发展 |
| 1.2.1 PDP工作特性模拟仿真技术的发展 |
| 1.2.2 流体力学模型仿真技术的发展 |
| 1.2.3 等效电路模型仿真技术的发展 |
| 1.2.4 两种模拟仿真技术的对比 |
| 1.3 PDP等效电路模型研究方法简介 |
| 1.3.1 电路分析软件PSpice基础 |
| 1.3.2 PDP的等效电路模型研究方法的发展现状 |
| 1.4 SMPDP相关的研制与仿真技术的发展 |
| 1.4.1 SMPDP技术的发展过程 |
| 1.4.2 SMPDP模拟仿真技术的发展 |
| 1.5 论文的主要研究目的及内容 |
| 1.5.1 论文的研究目的及意义 |
| 1.5.2 论文的主要研究内容 |
| 1.5.3 论文的主要成果 |
| 第二章 SMPDP工作原理及特性测试 |
| 2.1 SMPDP放电单元的结构 |
| 2.2 SMPDP工作机理及其驱动系统设计 |
| 2.3 SMPDP放大单元的放电过程测量 |
| 2.4 SMPDP整屏电气特性测量 |
| 2.4.1 老练系统整屏点亮前后I-V特性变化实验 |
| 2.4.2 老练系统维持脉冲工作频率对I-V特性的影响实验 |
| 2.4.3 老练系统驱动显示面积对电路特性的影响实验 |
| 2.4.4 显示图案对SMPDP视频显示系统特性的影响实验 |
| 2.4.5 对SMPDP局域负载与整屏负载关系之间影响关系的推论 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 SMPDP等效电路模型设计 |
| 3.1 SMPDP单元等效电路模型基本方案设计 |
| 3.1.1 SMPDP基本等效电路模型的建立 |
| 3.1.2 SMPDP基本等效电路模型的修正 |
| 3.1.3 SMPDP等效电路模型的验证 |
| 3.2 SMPDP放电单元等效电路与整屏等效电路的转换关系 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 SMPDP等效电路模型的应用 |
| 4.1 SMPDP等效电路模型对壁电荷工作原理的仿真 |
| 4.2 SMPDP等效电路模型对能量复得电路工作过程的仿真 |
| 4.2.1 SMPDP能量复得电路的设计 |
| 4.2.2 SMPDP能量复得电路功能的模拟 |
| 4.3 SMPDP等效电路模型对辅助维持脉冲工作原理的解释 |
| 4.4 SMPDP等效电路模型中各电路参数灵敏度分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 SMPDP等效电路模型参数关联因素 |
| 5.1 SMPDP等效电路模型中参数的关联因素分析 |
| 5.2 SMPDP单元等效电容的流体力学模型计算 |
| 5.2.1 行电极宽度变化对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.2.2 介质层介电常数对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.2.3 介质层厚度的变化对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.2.4 荫罩高度的变化对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.2.5 荫罩孔开口率的变化对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.3 SMPDP整屏等效电容参数选取的经验公式 |
| 5.4 关于SMPDP电容值的讨论 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（9）碳纳米管场发射平板显示器件关键技术的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 电子显示器件综述 |
| 1.1.1 FPD的发展简况 |
| 1.1.2 常见的FPD |
| 1.2 场发射平板显示器 |
| 1.2.1 场发射显示器原理 |
| 1.2.2 几种主要的场发射显示技术分析 |
| 1.3 场发射平板显示市场前景 |
| 1.4 我国FED器件研究的现状 |
| 1.5 本论文的工作 |
| 第二章 多功能超高真空系统的建立 |
| 2.1 多功能超高真空系统 |
| 2.1.1 系统结构 |
| 2.1.2 主要技术指标 |
| 2.2 等离子体表面处理子系统 |
| 2.3 场发射测试子系统 |
| 2.4 超高真空退火子系统 |
| 本章小结 |
| 第三章 印刷法制备碳纳米管阴极及其场发射性能的改善 |
| 3.1 引言 |
| 3.1.1 丝网印刷法制备图形化的CNT阴极 |
| 3.1.2 提高印刷法制备的CNT阴极电子发射性能的思路 |
| 3.2 等离子体表面处理提高CNT阴极电子发射性能 |
| 3.2.1 纳米瘤状颗粒的TEM表征 |
| 3.2.2 纳米瘤状颗粒的形成 |
| 3.2.3 等离子体表面处理改性机理 |
| 3.3 印刷法制备的CNT膜的记忆发射效应 |
| 3.3.1 CNT膜的记忆发射现象 |
| 3.3.2 记忆发射现象的机理研究 |
| 3.4 印刷法制备CNT膜与衬底接触性能的改善 |
| 3.4.1 CNT膜与金属电极接触电阻的测试方法 |
| 3.4.2 退火对CNT膜与衬底接触电阻的影响 |
| 3.4.3 改变接触电阻对场发射性能的影响 |
| 3.4.4 退火对CNT膜与衬底结合力的影响 |
| 本章小结 |
| 第四章 印刷法制备三极管器件结构 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 三极管结构的实现方法 |
| 4.3 全印刷法制备三极管结构 |
| 4.4 全印刷法的三极管结构制备工艺改进 |
| 本章小结 |
| 第五章 CNT-FED原型器件的设计和实现 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 器件制作的一般工艺 |
| 5.2.1 阴极制作 |
| 5.2.2 阳极制作 |
| 5.2.3 支撑结构 |
| 5.2.4 封装 |
| 5.2.5 真空度的维持 |
| 5.3 CNT-FED原型器件的设计与实现 |
| 5.3.1 三基色显示器件 |
| 5.3.2 三极管结构器件 |
| 5.3.3 动态显示的数码管 |
| 5.3.4 动态字符显示器件 |
| 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的论文目录 |
| 攻读博士学位期间申请和授权的专利目录 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
| 学位论文独创性和授权使用声明 |
（10）等离子显示器（PDP）扫描驱动芯片的设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| §1.1 等离子平板显示器(PDP)简介 |
| §1.2 PDP等离子显示器的发展历程及现状 |
| §1.2.1 彩色PDP的国内外发展现状 |
| §1.3 本课题的研究对象及意义 |
| §1.4 高压集成电路的设计 |
| §1.4.1 功率集成技术的介绍 |
| §1.4.2 高压IC设计的考虑 |
| §1.4.3 高压电路设计手段 |
| 第二章 PDP的工作原理 |
| §2.1 彩色PDP的分类 |
| §2.2 表面放电型AC-PDP的结构和工作原理 |
| §2.2.1 表面放电型AC-PDP结构 |
| §2.2.2 表面放电型AC-PDP的工作原理 |
| §2.2.3 AC-PDP的彩色显示原理 |
| §2.2.4 AC-PDP的灰度显示原理 |
| §2.3 彩色AC-PDP的系统结构 |
| §2.3.1 高压驱动芯片的连接方式 |
| §2.3.2 彩色AC-PDP的系统电路结构 |
| 第三章 高压选择电路 |
| §3.1 高压选择电路的工作原理 |
| §3.2 电极驱动电路的高压选择电路 |
| §3.2.1 扫描(Y)电极驱动电路的高压选择电路 |
| §3.2.2 X电极驱动电路的高压选择电路 |
| §3.2.3 A电极驱动电路的高压选择电路 |
| §3.2.4 能量恢复电路 |
| 第四章 PDP扫描驱动芯片的设计 |
| §4.1 芯片简介 |
| §4.2 芯片电路结构及电路分析 |
| §4.2.1 电路框图与电路简介 |
| §4.2.2 PDP扫描芯片的内部电路分析及仿真 |
| §4.2.2.1 管脚电路 |
| §4.2.2.2 移位寄存器 |
| §4.2.2.3 锁存器和POL及BLK单元电路 |
| §4.2.2.4 多路输出电路 |
| §4.2.2.5 数字控制电路部分的全电路 |
| §4.2.2.6 高压电平位移电路 |
| 第五章 高压器件及版图的设计 |
| §5.1 MOS功率器件的设计 |
| §5.1.1 LDMOS(横向双扩散MOS)器件的设计 |
| §5.1.1.1 LDMOS的耐高压技术-RESURF技术 |
| §5.1.1.2 N_(epi)、W_(epi)、以及N_(sub)的选取 |
| §5.1.1.3 L_D、L_F对LDMOSFET器件耐压的影响 |
| §5.1.1.4 一种新的HV-PMOS结构 |
| §5.1.2 VDMOS(垂直双扩散MOS)器件的设计 |
| §5.1.2.1 VDMOS简介 |
| §5.1.2.2 高压VDMOS器件的主要参数 |
| §5.1.2.3 便于集成的VDMOS器件设计 |
| §5.2 版图设计 |
| §5.2.1 工艺流程 |
| §5.2.2 其它的元器件结构 |
| §5.2.2.1 电阻 |
| §5.2.2.2 双极型晶体管 |
| §5.2.2.3 标准CMOS结构 |
| §5.2.2.4 二极管(稳压管) |
| §5.2.3 布局与布线 |
| §5.2.4 版图实现 |
| 第六章 芯片的测试 |
| §6.1 测试条件 |
| §6.2 测试结果 |
| 回顾与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
四、42英寸彩色等离子体平板显示器存储处理与控制电路研究（论文参考文献）
- [1]基于等离子体辅助制程的InGaZnO薄膜晶体管的研究[D]. 刘畅. 吉林大学, 2021(01)
- [2]基于InP/ZnS量子点的全彩色Micro-LED陈列显示器件设计及制作研究[D]. 王家先. 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2020(08)
- [3]高性能氧化物薄膜晶体管的制备与研究[D]. 秦昱. 西安电子科技大学, 2020(05)
- [4]基于Zynq的LCD动态调光控制系统设计[D]. 胡杰. 南京航空航天大学, 2020(07)
- [5]硅基OLED微显示器关键电路研究[D]. 赖良德. 东南大学, 2019(06)
- [6]液晶显示器（LCD）产业的迭代演进[J]. 吕延晓. 精细与专用化学品, 2018(02)
- [7]FED灰度调制方法的研究及其驱动电路实现[D]. 林韵英. 福州大学, 2006(12)
- [8]SMPDP等效电路模型的研究[D]. 汤勇明. 东南大学, 2006(04)
- [9]碳纳米管场发射平板显示器件关键技术的研究[D]. 冯涛. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）, 2006(02)
- [10]等离子显示器（PDP）扫描驱动芯片的设计[D]. 艾俊华. 浙江大学, 2005(02)