电压增益论文

GSMBE 增长 1.8-2.0μm 波段 InGaAs/InGaAsP 应变量子阱激光器

一、GSMBE生长1.8-2.0μm波段InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器（论文文献综述）赵荣进[1]（2021）在《976nm激光器结构优化与验证》文中研究表明97...