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GSMBE 增长 1.8-2.0μm 波段 InGaAs/InGaAsP 应变量子阱激光器
一、GSMBE生长1.8-2.0μm波段InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器(论文文献综述)赵荣进[1](2021)在《976nm激光器结构优化与验证》文中研究表明97...