外延生长论文

添加 HCl 对 HVPE 生长的 GaN 性能的影响

一、额外HCl对HVPE生长GaN性质的影响（论文文献综述）张兴拓[1]（2021）在《2-6英寸立式氢化物气相外延设备控制系统研究与设计》文中提出氮化镓在5G基站建设等方面存...